IGBT 모듈 1200V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V (BR )CES

수집자-출출자

피⌂크다운 전압

T j =25 °C

1200

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C

400

부적절함

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =64 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C = 1600A,V GE =15V, T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C = 1600A,V GE =15V, T j =125 °C

2.00

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =1600A,

R Gon =1.6Ω, R 고프 =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =25 °C

601

NS

T R

상승 시간

225

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

830

NS

T F

하강 시간

155

NS

이 에

켜 Switching

손실

/

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

/

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C = 1600A

R Gon = 1.6Ω,R 고프 =0.2Ω, V GE =±15V,T j =125 °C

665

NS

T R

상승 시간

225

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

970

NS

T F

하강 시간

180

NS

이 에

켜 Switching

손실

326

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

251

mJ

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

115

NF

C 소

출력 용량

6.03

NF

C res

역전환

용량

5.23

NF

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15 V,

T j =125 °C V CC =900V, V CEM ≤1200V

6400

A

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.6

Ω

L CE

방랑 인덕턴스

15

nH

R CC+EE

모듈 리드

저항력

터미널에서 칩으로

0.10

mΩ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F = 1600A

T j =25 °C

1.65

2.05

V

T j =125 °C

1.65

Q R

회복

충전

I F = 1600A

V R =600V,

R g =0.45Ω,

V GE =-15V

T j =25 °C

160

μC

T j =125 °C

300

I RM

피크 역전

회복 전류

T j =25 °C

1100

A

T j =125 °C

1400

이 rec

역회복 에너지

T j =25 °C

72

mJ

T j =125 °C

136

상징

매개변수

전형적인.

최대.

유닛

R θ JC

부문별 (IGB당) T)

17.8

K/kW

R θ JC

부대와 부대 (D당) 요오드)

31.0

K/kW

R θ CS

케이스-투-심크 (전도성 지방 응용) 거짓말)

6

K/kW

무게

무게 모듈

1500

g