IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD1200SGL120C3S

유닛

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

± 20

V

I C

컬렉터 전류

@ T C =25 °C

@ T C = 100°C

1900

A

1200

I 센티미터 (1)

펄스 콜렉터 전류 t 전 = 1밀리초

2400

A

I F

다이오드 연속 전류

1200

A

I Fm

다이오드 최대의 앞회수 임대료

2400

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j = 175°C

8823

W

T SC

단회로 견딜 시간 @ T j =125 °C

10

μs

T j

작동점 온도

-40에서 +150

°C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

°C

I 2t값, 다이오드

V R =0V, t=10ms, T j =125 °C

300

kA 2s

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

장착

토크

전원 터미널 나사:M4

전원 터미널 나사:M8

1.7에서 2.3

8.0에서 10

N.M

장착 스ikulu:M6

4.25에서 5.75

N.M

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

BV CES

수집자-출출자

피⌂크다운 전압

T j =25 °C

1200

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출

전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C

800

부적절함

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V GE (번째 )

게이트 발산자 문

전압

I C =48.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C

5.0

6.5

7.0

V

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C = 1200A,V GE =15V, T j =25 °C

1.9

V

I C = 1200A,V GE =15V, T j = 125°C

2.1

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

R Gint

내부 게이트 저항

T j =25 °C

1.2

Ω

Q GE

게이트 요금

I C = 1200A,V CE =600V, V GE =- 15...+15V

12.5

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =1200A,

R g =0.82Ω,V GE = ± 15V, T j =25 °C

790

NS

T R

상승 시간

170

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

1350

NS

T F

하강 시간

180

NS

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =1200A,

R g =0.82Ω,V GE = ± 15 V,

T j = 125°C

850

NS

T R

상승 시간

170

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

1500

NS

T F

하강 시간

220

NS

이 에

켜 전환 손실

155

mJ

이 끄다

턴오프 스위칭 손실

190

mJ

C ies

입력 용량

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

92.0

NF

C 소

출력 용량

8.40

NF

C res

역전환

용량

6.10

NF

I SC

SC 데이터

T s C ≤ 10μs,V GE =15V, T j =125 °C ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

7000

A

L CE

방랑 인덕턴스

15

nH

R CC + EE ’

모듈 리드 저항 e, 터미널에서 칩으로

T C =25 °C ,스위치당

0.10

m Ω

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F = 1200A

T j =25 °C

1.9

V

T j = 125°C

2.1

Q R

다이오드 역전

회복 전하

I F = 1200A

V R =600V,

di/dt=-6800A/μs, V GE =- 15V

T j =25 °C

110

μC

T j = 125°C

220

I RM

다이오드 피크

역회복 전류

T j =25 °C

760

A

T j = 125°C

990

이 rec

역회복 에너지

T j =25 °C

47

mJ

T j = 125°C

82

상징

매개변수

전형적인.

최대.

유닛

R θ JC

융합체 (IGBT 부분, pe) r 모듈)

0.017

K/W

R θ JC

접합부-케이스 (다이오드 부분, 모듈당 l)

0.025

K/W

R θ CS

케이스-싱크

(전도성 그리스 적용, per 모듈)

0.006

K/W

무게

무게 of 모듈

1500

g