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IGBT 이산형, DG75X12T2, STARPOWER

IGBT 디스크리트:1200V,75A

Brand:
STARPOWER
Spu:
DG75X12T2
  • 소개
소개

친절한 상기:F또는 그 이상IGBT 디스크리트, 이메일을 보내주세요.

특징

  • 낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
  • 10μs 단회로 능력
  • 저변 변속 손실
  • 최대 접합 온도 175oC
  • 양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD

 

 

 

일반적 신청서

  • 모터 드라이브용 인버터
  • AC 및 DC 서보 구동 증폭아이어
  • 끊김 없는 전원 공급

절대 최대 등급 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨

 IGBT

상징

설명

UNIT

VCES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

VGES

게이트-이미터 전압

±20

V

IC

콜렉터 전류 @ TC=25OC @ TC=100OC

150

75

A

I센티미터

펄스 수집가 전류  T  제한된 에 의해 Tvjmax

225

A

D

최대 전력 분산 @ Tvj=175OC

852

W

다이오드

 

상징

설명

UNIT

VRRM

반복적 피크 역전압연령

1200

V

IF

다이오드 연속 정방향 Cu임대료

75

A

IFm

펄스 수집가 전류  T  제한된 에 의해 Tvjmax

225

A

사소한 것

 

상징

설명

UNIT

Tvjop

작동점 온도

-40에서 +175

OC

TSTG

보관 온도 범위

-55에서 +150

OC

Ts

용접 온도 1.6mm f로미안 10s

260

OC

 

IGBT 특성 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨

 

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

 

 

VCE (sat)

 

 

수집자로부터 발산자 포화전압

IC=75A,VGE=15V, Tvj=25OC

 

1.75

2.20

 

 

V

IC=75A,VGE=15V, Tvj=150OC

 

2.10

 

IC=75A,VGE=15V, Tvj=175OC

 

2.20

 

VGE(번째)

게이트 발산자 문 전압

IC=3.00mA,VCE=VGE, Tvj=25OC

5.0

5.8

6.5

V

ICES

수집가 절단-끄다전류

VCE=VCES,VGE=0V, Tvj=25OC

 

 

250

μA

IGES

게이트 발사자 누출 전류

VGE=VGES,VCE=0V,Tvj=25OC

 

 

100

부적절함

RGint

내부 게이트 저항

 

 

2.0

 

Ω

Cies

입력 용량

 

VCE=25V,f=100kHz, VGE=0V

 

6.58

 

NF

C

출력 용량

 

0.40

 

 

Cres

역전환 용량

 

0.19

 

NF

Qg

게이트 요금

VGE=-15...+15V

 

0.49

 

μC

TD()

턴온 지연 시간

 

 

VCC=600V,IC=75A,    Rg=4.7Ω,

VGE=±15V, Ls=40nH,

Tvj=25OC

 

41

 

NS

TR

상승 시간

 

135

 

NS

Td(off)

그림 지연 시간

 

87

 

NS

TF

하강 시간

 

255

 

NS

 Switching 손실

 

12.5

 

mJ

끄다

그림 전환 손실

 

3.6

 

mJ

TD()

턴온 지연 시간

 

 

VCC=600V,IC=75A,    Rg=4.7Ω,

VGE=±15V, Ls=40nH,

Tvj=150OC

 

46

 

NS

TR

상승 시간

 

140

 

NS

Td(off)

그림 지연 시간

 

164

 

NS

TF

하강 시간

 

354

 

NS

 Switching 손실

 

17.6

 

mJ

끄다

그림 전환 손실

 

6.3

 

mJ

TD()

턴온 지연 시간

 

 

VCC=600V,IC=75A,    Rg=4.7Ω,

VGE=±15V, Ls=40nH,

Tvj=175OC

 

46

 

NS

TR

상승 시간

 

140

 

NS

Td(off)

그림 지연 시간

 

167

 

NS

TF

하강 시간

 

372

 

NS

 Switching 손실

 

18.7

 

mJ

끄다

그림 전환 손실

 

6.7

 

mJ

ISC

 

SC 데이터

T≤10μs,VGE=15V,

Tvj=175OC,VCC=800V, VCEM≤1200V

 

 

300

 

 

A

다이오드 특성 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨

 

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

 

VF

다이오드 앞 전압

IF=75A,VGE=0V,Tvj=25OC

 

1.75

2.20

 

V

IF=75A,VGE=0V,Tvj=150OC

 

1.75

 

IF=75A,VGE=0V,Tvj=175OC

 

1.75

 

trr

다이오드 역전  복구 시간

 

VR=600V,IF=75A,

-di/dt=370A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

Tvj=25OC

 

267

 

NS

QR

회복 전하

 

4.2

 

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

 

22

 

A

rec

역회복 에너지

 

1.1

 

mJ

trr

다이오드 역전  복구 시간

 

VR=600V,IF=75A,

-di/dt=340A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

Tvj=150OC

 

432

 

NS

QR

회복 전하

 

9.80

 

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

 

33

 

A

rec

역회복 에너지

 

2.7

 

mJ

trr

다이오드 역전  복구 시간

 

VR=600V,IF=75A,

-di/dt=320A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

Tvj=175OC

 

466

 

NS

QR

회복 전하

 

11.2

 

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

 

35

 

A

rec

역회복 에너지

 

3.1

 

mJ

 

 

 

사소한 것 특성 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨

 

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

RthJC

부문별 (IGB당)T)부대와 부대 (D당)요오드)

 

 

0.176 0.371

K/W

RthJA

환경과의 연결

 

40

 

K/W

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