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IGBT 디스크리트

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IGBT 이산형, DG25X12T2, 1200V, 25A, STARPOWER

1200V,25A

Brand:
STARPOWER
  • 소개
소개

친절한 상기:F또는 그 이상IGBT 디스크리트, 이메일을 보내주세요.

특징

  • 낮은 VCE (위성)트렌치IGBT기술
  • 10μs 단회로 능력
  • 저변 변속 손실
  • 최대 접합 온도 175oC
  • 낮은 인덕턴스 케이스
  • VCE(sat)양성온도계수
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
  • 납 없는 패키지

 

일반적 신청서

  • 모터 드라이브용 인버터
  • AC 및 DC 서보 드라이브 앰프
  • 비상 전원 공급 장치

 

절대 최대 등급 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨

 

IGBT

 

상징

설명

가치

UNIT

VCES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

VGES

게이트-이미터 전압

±20

V

IC

콜렉터 전류 @ TC=25OC

@ TC= 110OC

50

25

A

I센티미터

펄스 콜렉터 전류 tT에 제한되어 있습니다jmax

100

A

D

최대 전력 분산 @ Tj=175OC

573

W

다이오드

상징

설명

가치

UNIT

VRRM

반복 피크 역전압

1200

V

IF

다이오드 연속 순방향 전류 @ TC= 110OC

25

A

IFm

다이오드 최대 앞으로 전류  T 제한된 에 의해 Tjmax

100

A

 

사소한 것

 

상징

설명

UNIT

Tjop

작동점 온도

-40에서 +175

OC

TSTG

보관 온도범위

-55에서 +150

OC

Ts

용접 온도 1.6mmm 경우 10s

260

OC

m

장착 토크, 나사 M3

0.6

N.M

IGBT 특성 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨

 

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

 

 

VCE (sat)

 

 

수집자로부터 발산자

포화전압

IC=25A,VGE=15V,

Tj=25OC

 

1.70

2.15

 

 

V

IC=25A,VGE=15V,

Tj=125OC

 

1.95

 

IC=25A,VGE=15V,

Tj=150OC

 

2.00

 

VGE(번째)

게이트 발산자 문 전압

IC=0.63mA,VCE=VGE, Tj=25OC

5.2

6.0

6.8

V

ICES

수집가 절단-끄다

전류

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25OC

 

 

1.0

mA

IGES

게이트 발사자 누출 전류

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25OC

 

 

400

부적절함

RGint

내부 게이트 저항ance

 

 

0

 

Ω

Cies

입력 용량

VCE=25V,f=1Mhz,

VGE=0V

 

2.59

 

NF

Cres

역전환

용량

 

0.07

 

NF

Qg

게이트 요금

VGE=-15...+15V

 

0.19

 

μC

TD()

턴온 지연 시간

 

 

VCC=600V,IC=25A,   Rg=20Ω,VGE=±15V, Tj=25OC

 

28

 

NS

TR

상승 시간

 

17

 

NS

TD(끄다)

그림 지연 시간

 

196

 

NS

TF

하강 시간

 

185

 

NS

 Switching

손실

 

1.71

 

mJ

끄다

그림 전환

손실

 

1.49

 

mJ

TD()

턴온 지연 시간

 

 

VCC=600V,IC=25A,   Rg=20Ω,VGE=±15V, Tj=125OC

 

28

 

NS

TR

상승 시간

 

21

 

NS

TD(끄다)

그림 지연 시간

 

288

 

NS

TF

하강 시간

 

216

 

NS

 Switching

손실

 

2.57

 

mJ

끄다

그림 전환

손실

 

2.21

 

mJ

TD()

턴온 지연 시간

 

 

VCC=600V,IC=25A,   Rg=20Ω,VGE=±15V, Tj=150OC

 

28

 

NS

TR

상승 시간

 

22

 

NS

TD(끄다)

그림 지연 시간

 

309

 

NS

TF

하강 시간

 

227

 

NS

 Switching

손실

 

2.78

 

mJ

끄다

그림 전환

손실

 

2.42

 

mJ

 

ISC

 

SC 데이터

T≤ 10μs,VGE=15V,

Tj=150OC,VCC=900V, VCEM≤1200V

 

 

100

 

 

A

다이오드 특성 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨

 

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

 

VF

다이오드 앞

전압

IF=25A,VGE=0V,Tj=25OC

 

2.20

2.65

 

V

IF=25A,VGE=0V,Tj= 125OC

 

2.30

 

IF=25A,VGE=0V,Tj= 150OC

 

2.25

 

QR

회복 전하

VR=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V Tj=25OC

 

1.43

 

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

 

34

 

A

rec

역회복에너지

 

0.75

 

mJ

QR

회복 전하

VR=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V Tj= 125OC

 

2.4

 

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

 

42

 

A

rec

역회복에너지

 

1.61

 

mJ

QR

회복 전하

VR=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE=-15V Tj= 150OC

 

2.6

 

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

 

44

 

A

rec

역회복에너지

 

2.10

 

mJ

 

 

 

사소한 것 특성 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨

 

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

RthJC

부문별 (IGB당)T)

커스 (D) 에 대한 연결오드)

 

 

0.262

0.495

K/W

RthJA

환경과의 연결

 

40

 

K/W

 

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