IGBT 모듈 1200V

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1522

900

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1800

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

5.24

KW

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

900

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

1800

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =900A,V GE =15V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =900A,V GE =15V, T j =125 O C

1.95

I C =900A,V GE =15V, T j =150 O C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =22.5 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.63

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

93.2

NF

C res

역전환

용량

2.61

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ﹍+15V

6.99

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A, R g =1.6Ω,

V GE =±15V, T j =25 O C

214

NS

T R

상승 시간

150

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

721

NS

T F

하강 시간

206

NS

이 에

켜 Switching

손실

76

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

128

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A, R g =1.6Ω,

V GE =±15V, T j =125 O C

235

NS

T R

상승 시간

161

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

824

NS

T F

하강 시간

412

NS

이 에

켜 Switching

손실

107

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

165

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A, R g =1.6Ω,

V GE =±15V, T j =150 O C

235

NS

T R

상승 시간

161

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

876

NS

T F

하강 시간

464

NS

이 에

켜 Switching

손실

112

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

180

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

3600

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =900A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.25

V

I F =900A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

I F =900A,V GE =0V,T j = 150O C

1.80

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j =25 O C

86

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

475

A

이 rec

역회복 에너지

36.1

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j = 125O C

143

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

618

A

이 rec

역회복 에너지

71.3

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j = 150O C

185

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

665

A

이 rec

역회복 에너지

75.1

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

ΔR/R

오차 of R 100

T C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

18

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.30

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

28.6

51.9

K/kW

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

14.0

25.3

4.5

K/kW

m

단자 연결 토크, 나사 M4 Terminal Connection 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 스크루브 M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M

g

무게 of 모듈

825

g