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IGBT 모듈 1200V

IGBT 모듈 1200V

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GD800SGT120C3S, IGBT 모듈, STARPOWER

1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800SGT120C3S
  • 소개
  • 개요
소개

간략한 소개

IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1200V 800A.

특징

  • 낮은 V CE (위성 ) 트렌치 IGBT 기술
  • 10μs 단전장치 부산
  • V CE (위성 ) 양성 온도 계수
  • 낮은 인덕턴스 사례
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반평행 FWD
  • DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

일반적 신청서

  • 고전력 변환기
  • 자동차 운전자
  • AC 인버터 드라이브

절대 최대 등급 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

설명

GD800SGT120C3S

유닛

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

1350

800

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t =1 ms

1600

A

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

@ T C =80 °C

800

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t =1ms

1600

A

D

최대 전력 분산 @ T j =1 75°C

4.44

KW

T jmax

최대 분기 온도

175

°C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

°C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

°C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1

2500

V

장착 토크

신호 단말 스ikulu:M4

1.8에서 2.1

전원 터미널 나사:M8

8.0에서 10

N.M

장착 나사:M6

4.25 ~ 5.75

전기적 특성 of IGBT T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

특징이 없네요

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V (BR )CES

수집자-출출자

피⌂크다운 전압

T j =25 °C

1200

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C

400

부적절함

특징 에 관한 것

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =32 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =800A,V GE =15V, T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C =800A,V GE =15V, T j =125 °C

2.00

변동 특성

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A,

R Gon =3.6Ω,

R 고프 =0.91Ω,

V GE =±15V,T j =25 °C

250

NS

T R

상승 시간

190

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

90

NS

T F

하강 시간

130

NS

Switching

손실

58.1

mJ

끄다

그림 전환

손실

85.4

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A, R Gon =3.6Ω,

R 고프 =0.91Ω,

V GE =±15V,T j =125 °C

260

NS

T R

상승 시간

200

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

810

NS

T F

하강 시간

210

NS

Switching

손실

85.5

mJ

끄다

그림 전환

손실

126

mJ

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

57.7

NF

C

출력 용량

3.02

NF

C res

역전환

용량

2.62

NF

I SC

SC 데이터

T ≤ 10μs,V GE =15 V,

T j =125 °C V CC =900V,

V CEM ≤1200V

3200

A

Q g

게이트 요금

V CC =600V,I C =800A, V GE =-15 +15V

7.4

μC

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.78

Ω

L CE

방랑 인덕턴스

15

nH

R CC+EE

모듈 리드

저항력

터미널에서 칩으로

0.10

전기적 특성 of 다이오드 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =800A

T j =25 °C

1.65

2.10

V

T j = 125°C

1.65

Q R

회복

충전

I F =800A,

V R =600V,

R g =3.6Ω,

V GE =-15V

T j =25 °C

48.6

μC

T j =125 °C

91.2

I RM

피크 역전

회복 전류

T j =25 °C

340

A

T j =125 °C

440

rec

역회복 에너지

T j =25 °C

21.8

mJ

T j =125 °C

41.3

열 특성 ics

상징

매개변수

전형적인.

최대.

유닛

R θ JC

부문별 (IGB당) T)

33.8

K/kW

R θ JC

부대와 부대 (D당) 요오드)

57.4

K/kW

R θ CS

케이스-투-심크 (전도성 지방 응용) 거짓말)

6

K/kW

무게

무게 모듈

1500

g

개요

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