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간략한 소개
IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1200V 800A.
특징
일반적 신청서
절대 최대 등급 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 설명 | GD800SGT120C3S | 유닛 |
V CES | 컬렉터-이미터 전압 | 1200 | V |
V GES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | V |
I C | 콜렉터 전류 @ T C =25 °C @ T C =80 °C | 1350 800 | A |
I 센티미터 | 펄스 콜렉터 전류 t 전 =1 ms | 1600 | A |
I F | 다이오드 연속 전면 커 임대료 @ T C =80 °C | 800 | A |
I Fm | 다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms | 1600 | A |
전 D | 최대 전력 분산 @ T j =1 75°C | 4.44 | KW |
T jmax | 최대 분기 온도 | 175 | °C |
T jop | 작동점 온도 | -40에서 +150 | °C |
T STG | 보관 온도 범위 | -40에서 +125 | °C |
V iso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분 | 2500 | V |
장착 토크 | 신호 단말 스ikulu:M4 | 1.8에서 2.1 |
|
전원 터미널 나사:M8 | 8.0에서 10 | N.M | |
장착 나사:M6 | 4.25 ~ 5.75 |
|
전기적 특성 of IGBT T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
특징이 없네요
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 |
V (BR )CES | 수집자-출출자 피⌂크다운 전압 | T j =25 °C | 1200 |
|
| V |
I CES | 수집가 절단 -끄다 전류 | V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
I GES | 게이트 발사자 누출 전류 | V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C |
|
| 400 | 부적절함 |
특징 에 관한 것
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 |
V GE (번째 ) | 게이트 발산자 문 전압 | I C =32 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V |
V CE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 | I C =800A,V GE =15V, T j =25 °C |
| 1.70 | 2.15 |
V |
I C =800A,V GE =15V, T j =125 °C |
| 2.00 |
|
변동 특성
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 |
T D (에 ) | 턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =800A, R Gon =3.6Ω, R 고프 =0.91Ω, V GE =±15V,T j =25 °C |
| 250 |
| NS |
T R | 상승 시간 |
| 190 |
| NS | |
T D (끄다 ) | 그림 지연 시간 |
| 90 |
| NS | |
T F | 하강 시간 |
| 130 |
| NS | |
이 에 | 켜 Switching 손실 |
| 58.1 |
| mJ | |
이 끄다 | 그림 전환 손실 |
| 85.4 |
| mJ | |
T D (에 ) | 턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =800A, R Gon =3.6Ω, R 고프 =0.91Ω, V GE =±15V,T j =125 °C |
| 260 |
| NS |
T R | 상승 시간 |
| 200 |
| NS | |
T D (끄다 ) | 그림 지연 시간 |
| 810 |
| NS | |
T F | 하강 시간 |
| 210 |
| NS | |
이 에 | 켜 Switching 손실 |
| 85.5 |
| mJ | |
이 끄다 | 그림 전환 손실 |
| 126 |
| mJ | |
C ies | 입력 용량 | V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V |
| 57.7 |
| NF |
C 소 | 출력 용량 |
| 3.02 |
| NF | |
C res | 역전환 용량 |
| 2.62 |
| NF | |
I SC |
SC 데이터 | T 전 ≤ 10μs,V GE =15 V, T j =125 °C V CC =900V, V CEM ≤1200V |
|
3200 |
|
A |
Q g | 게이트 요금 | V CC =600V,I C =800A, V GE =-15 ﹍+15V |
| 7.4 |
| μC |
R Gint | 내부 게이트 저항 ance |
|
| 0.78 |
| Ω |
L CE | 방랑 인덕턴스 |
|
| 15 |
| nH |
R CC+EE | 모듈 리드 저항력 터미널에서 칩으로 |
|
|
0.10 |
|
mΩ |
전기적 특성 of 다이오드 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 | |
V F | 다이오드 앞 전압 | I F =800A | T j =25 °C |
| 1.65 | 2.10 | V |
T j = 125°C |
| 1.65 |
| ||||
Q R | 회복 충전 | I F =800A, V R =600V, R g =3.6Ω, V GE =-15V | T j =25 °C |
| 48.6 |
| μC |
T j =125 °C |
| 91.2 |
| ||||
I RM | 피크 역전 회복 전류 | T j =25 °C |
| 340 |
| A | |
T j =125 °C |
| 440 |
| ||||
이 rec | 역회복 에너지 | T j =25 °C |
| 21.8 |
| mJ | |
T j =125 °C |
| 41.3 |
|
열 특성 ics
상징 | 매개변수 | 전형적인. | 최대. | 유닛 |
R θ JC | 부문별 (IGB당) T) |
| 33.8 | K/kW |
R θ JC | 부대와 부대 (D당) 요오드) |
| 57.4 | K/kW |
R θ CS | 케이스-투-심크 (전도성 지방 응용) 거짓말) | 6 |
| K/kW |
무게 | 무게 모듈 | 1500 |
| g |
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