IGBT 모듈 1700V

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1050

800

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1600

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

4.85

KW

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1700

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

800

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

1600

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =800A,V GE =15V, T j =25 O C

2.50

2.95

V

I C =800A,V GE =15V, T j =125 O C

3.00

I C =800A,V GE =15V, T j =150 O C

3.10

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =32.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.4

7.4

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

54.0

NF

C res

역전환

용량

1.84

NF

Q g

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

6.2

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =800A, R g = 1.5Ω

V GE =±15V, T j =25 O C

235

NS

T R

상승 시간

110

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

390

NS

T F

하강 시간

145

NS

이 에

켜 Switching

손실

216

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

152

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =800A, R g = 1.5Ω

V GE =±15V, T j = 125O C

250

NS

T R

상승 시간

120

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

475

NS

T F

하강 시간

155

NS

이 에

켜 Switching

손실

280

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

232

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =800A,

R g = 1.5Ω

V GE =±15V, T j = 150O C

254

NS

T R

상승 시간

125

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

500

NS

T F

하강 시간

160

NS

이 에

켜 Switching

손실

312

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

256

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2480

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =800A,V GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =800A,V GE =0V, t j = 125O C

1.95

I F =800A,V GE =0V, t j = 150O C

1.90

Q R

회복 전하

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, T j =25 O C

232

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

720

A

이 rec

역회복 에너지

134

mJ

Q R

회복 전하

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, T j = 125O C

360

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

840

A

이 rec

역회복 에너지

222

mJ

Q R

회복 전하

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, T j = 150O C

424

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

880

A

이 rec

역회복 에너지

259

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.37

mΩ

R θ JC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

30.9

49.0

K/kW

R θ CS

케이스-싱크 (IGBT당)

케이스-싱크 (다이오드당)

19.6

31.0

K/kW

R θ CS

케이스-싱크

6.0

K/kW

m

단자 연결 토크, 나사 M4 Terminal Connection 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 나사 M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

무게 of 모듈

1500

g