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간략한 소개
IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1700V 450A.
특징
일반적 신청서
절대 최대 등급 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
IGBT
상징 | 설명 | 가치 | UNIT |
VCES | 컬렉터-이미터 전압 | 1700 | V |
VGES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | V |
IC | 집합 전류 @ TC=25oC @ TC=95도C | 683 450 | A |
ICM | 펄스 콜렉터 전류 tp=1ms | 900 | A |
PD | 최대 전력 소산 T =175oC | 2678 | W |
다이오드
상징 | 설명 | 가치 | UNIT |
V RRM | 반복 피크 역전압 | 1700 | V |
I F | 다이오드 연속 전면 커 임대료 | 450 | A |
I Fm | 다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms | 900 | A |
모듈
상징 | 설명 | 가치 | UNIT |
T jmax | 최대 분기 온도 | 175 | O C |
T jop | 작동점 온도 | -40에서 +150 | O C |
T STG | 보관 온도 범위 | -40에서 +125 | O C |
V iso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분 | 4000 | V |
IGBT 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
VCE(sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 | IC=450A,VGE=15V, Tj=25도C |
| 2.00 | 2.45 |
V |
IC=450A,VGE=15V, Tj=125도C |
| 2.40 |
| |||
IC=450A,VGE=15V, Tj=150도C |
| 2.50 |
| |||
VGE (th) | 포트-에미터 임계 전압 | IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25도C | 5.4 | 6.1 | 7.4 | V |
ICES | 컬렉터 차단 전류 | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25도C |
|
| 5.0 | mA |
IGES | 게이트-에미터 누출 전류 | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
| 400 | 부적절함 |
RGint | 내부 게이트 저항 |
|
| 0.3 |
| Ω |
시스 | 입력 용량 | VCE=25V,f=1Mhz, VGE=0V |
| 30.0 |
| NF |
크레스 | 역전환 용량 |
| 1.08 |
| NF | |
본부 | 게이트 요금 | VGE=-15…+15V |
| 2.70 |
| μC |
td(on) | 턴온 지연 시간 |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25도C |
| 504 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 183 |
| NS | |
td(off) | 차단 지연 시간 |
| 616 |
| NS | |
TF | 하강 시간 |
| 188 |
| NS | |
EON | 팅 스위치 손실 |
| 126 |
| mJ | |
EOFF | 그림 전환 손실 |
| 89 |
| mJ | |
td(on) | 턴온 지연 시간 |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125도C |
| 506 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 194 |
| NS | |
td(off) | 차단 지연 시간 |
| 704 |
| NS | |
TF | 하강 시간 |
| 352 |
| NS | |
EON | 팅 스위치 손실 |
| 162 |
| mJ | |
EOFF | 그림 전환 손실 |
| 124 |
| mJ | |
td(on) | 턴온 지연 시간 |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150도C |
| 510 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 198 |
| NS | |
td(off) | 차단 지연 시간 |
| 727 |
| NS | |
TF | 하강 시간 |
| 429 |
| NS | |
EON | 팅 스위치 손실 |
| 174 |
| mJ | |
EOFF | 그림 전환 손실 |
| 132 |
| mJ | |
ISC |
SC 데이터 | tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150도C,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
|
1440 |
|
A |
다이오드 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
V F | 다이오드 앞 전압 | I F =450A,V GE =0V,T j =25 O C |
| 1.87 | 2.32 |
V |
I F =450A,V GE =0V,T j = 125O C |
| 2.00 |
| |||
I F =450A,V GE =0V,T j = 150O C |
| 2.05 |
| |||
Q R | 회복 전하 | V R =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V GE =-15V T j =25 O C |
| 107 |
| μC |
I RM | 피크 역전 회복 전류 |
| 519 |
| A | |
이 rec | 역회복 에너지 |
| 75 |
| mJ | |
Q R | 회복 전하 | V R =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V GE =-15V T j = 125O C |
| 159 |
| μC |
I RM | 피크 역전 회복 전류 |
| 597 |
| A | |
이 rec | 역회복 에너지 |
| 113 |
| mJ | |
Q R | 회복 전하 | V R =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V GE =-15V T j = 150O C |
| 170 |
| μC |
I RM | 피크 역전 회복 전류 |
| 611 |
| A | |
이 rec | 역회복 에너지 |
| 119 |
| mJ |
모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
L CE | 방랑 인덕턴스 |
|
| 20 | nH |
R CC+EE | 모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지 |
| 0.35 |
| mΩ |
R thJC | 부문별 (IGB당) T) 부대와 부대 (D당) 요오드) |
|
| 0.056 0.112 | K/W |
R thCH | 케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-히트싱크 (p er 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈) |
| 0.105 0.210 0.035 |
| K/W |
m | 단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M |
g | 무게 of 모듈 |
| 300 |
| g |
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