IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±30

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

520

300

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

600

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

1807

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

300

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

600

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C = 300A,V GE =15V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C = 300A,V GE =15V, T j =125 O C

1.95

I C = 300A,V GE =15V, T j =150 O C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 12.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.6

6.5

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

28.6

NF

C res

역전환

용량

0.92

NF

Q g

게이트 요금

V GE =15V

1.92

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =2.2Ω,

V GE =±15V, T j =25 O C

331

NS

T R

상승 시간

105

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

521

NS

T F

하강 시간

124

NS

이 에

켜 Switching

손실

6.30

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

27.3

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =2.2Ω,

V GE =±15V, T j = 125O C

327

NS

T R

상승 시간

110

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

575

NS

T F

하강 시간

166

NS

이 에

켜 Switching

손실

10.6

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

34.6

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g =2.2Ω,

V GE =±15V, T j = 150O C

318

NS

T R

상승 시간

111

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

586

NS

T F

하강 시간

185

NS

이 에

켜 Switching

손실

11.5

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

37.0

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1200

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F = 300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

I F = 300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.85

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, T j =25 O C

29.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

236

A

이 rec

역회복 에너지

14.8

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, T j = 125O C

52.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

302

A

이 rec

역회복 에너지

26.4

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, T j = 150O C

60.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

322

A

이 rec

역회복 에너지

30.4

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.18

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

0.083

0.111

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.061

0.082

0.035

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g