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간략한 소개
IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1700V 300A.
특징
일반적 신청서
절대 최대 등급 Te=25℃ 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 설명 | GD300HFT170C2S | 유닛 |
VCES | 수집자-출출자 전압 | 1700 | V |
VGFs | 게이트 발사기 전압 | ±20 | V |
IC | 수집가 전류 @Tc=25℃ @Tc=80℃ | 550 | A |
300 | |||
ICM (이하 ICM) | 펄스 수집가 전류 tp= 1ms | 600 | A |
비 | 다이오드 연속적인 앞으로 전류 | 300 | A |
IM | 다이오드 최대 앞으로 전류 | 600 | A |
pp | 최대 전력 소산 @Tj=175℃ | 2083 | W |
TSC | 짧은 회로 견디세요 시간 @Tj =125℃ | 10 | μs |
Tjmax | 최대 교차점 온도 | 175 | °C |
TSTG | 저장 온도 범위 | -40 to+125 | °C |
I²t-값,다이오드 | VR=0V,t=10ms,Tj=125°C | 14500 | A²s |
비소 | 고립 전압 RMS,f=50Hz,t=1min | 4000 | V |
장착 토크 | 전력 단자 나사 :M6 | 2.5 에 5.0 | N.M |
장착 스ikulu:M6 | 3.0 에 5.0 | N.M |
전기적 특성 of IGBT Te=25℃ 아니면 그렇지 않으면 기재됨
끄다 특성
상징 | 매개변수 | 테스트 조건 | 분 . | 유형 . | 최대 . | 유닛 |
BVcrs | 수집자-출출자 분산 전압 | VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃ | 1700 |
|
| V |
ICES | 수집가 컷오프 전류 | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25°C |
|
| 3.0 | mA |
IGrs | 게이트 발사기 누출 전류 | VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃ |
|
| 400 | 부적절함 |
에 특성
상징 | 매개변수 | 테스트 조건 | 분 . | 전형적인. | 최대 . | 유닛 |
Vcπ(h) | 게이트 발사기 임계값 전압 | Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃ | 5.2 | 5.8 | 6.4 | V |
VCE(sat) |
수집가 에 에미터 포화 전압 | Ic=300A,VGr=15V, T=25℃ |
| 2.0 |
|
V |
IC =300A, VGr =15V. T=125℃ |
| 2.4 |
|
Switching 특성
상징 | 매개변수 | 테스트 조건 | 분 . | 전형적인. | 최대 . | 유닛 | |||
taon) | 켜 지연 시간 | Vcc=900V,Ic=300A, Ra=4.72, Vae=±15V, T=25℃ |
| 281 |
| NS | |||
T | 상승 시간 |
| 82 |
| NS | ||||
ta (o) | 그림 지연 시간 |
| 801 |
| NS | ||||
tr | 하강 시간 |
Vcc=900V,Ic=300A, Rc=4.72, V=±15V T=25℃ |
| 121 |
| NS | |||
EON | 켜 Switching 손실 |
| 70 |
| mJ | ||||
Eofr | 그림 Switching 손실 |
| 65 |
| mJ | ||||
ta(on) | 켜 지연 시간 |
Vcc=900V,Ic=300A, RG=4.72, Vc=±15V T=125℃ |
| 303 |
| NS | |||
T | 상승 시간 |
| 103 |
| NS | ||||
ta(om) | 그림 지연 시간 |
| 1002 |
| NS | ||||
tr | 하강 시간 |
| 203 |
| NS | ||||
EON | 켜 Switching 손실 |
| 105 |
| mJ | ||||
EOR | 그림 Switching 손실 |
| 94 |
| mJ | ||||
시스 | 입력 용량 |
VCE=25V,f=1Mhz, VGr=0V |
| 27.0 |
| NF | |||
코스 | 출력 용량 |
| 1.1 |
| NF | ||||
크레스 | 반전 전송 용량 |
| 0.9 |
| NF | ||||
ISC |
SC 데이터 | tSC≤10μs,VGE=15V, T=125℃, Vcc=1000V VcrM≤1700V |
|
1200 |
|
A | |||
RGint | 내부 포트 저항 CE |
|
| 2.5 |
| Ω | |||
LCr | 스트레이 인덕턴스 |
|
|
| 20 | nH | |||
RcC'+EE' | 모듈 리드 저항력 단자 에 칩 | TC=25°C |
| 0.35 |
| m2 | |||
전기적 특성 of 다이오드 Tc =25℃ 아니면 그 외 주의사항 D
상징 | 매개변수 | 테스트 조건 | 분 . | 전형적인. | 최대 . | 유닛 | |
가상 현실 | 다이오드 앞으로 전압 | Iq=300A | Tj=25°C |
| 1.8 |
| V |
Ti=125℃ |
| 1.9 |
| ||||
Q | 다이오드 반전 회복 충전 |
Ir=300A, VR=900V, di/dt=-3600A/μs, VGr=-15V | T=25℃ |
| 77 |
| μC |
Tj=125°C |
| 131 |
| ||||
IRM | 다이오드 최고 반전 회복 전류 | Tj=25°C |
| 351 |
|
A | |
T=125℃ |
| 383 |
| ||||
Eree | 반전 회복 에너지 | Tj=25°C |
| 40 |
| mJ | |
Tj=125°C |
| 72 |
| ||||
열적 특성 CS
상징 | 매개변수 | 전형적인. | 최대 . | 유닛 |
Rac | 교차점 -에 -사례 (IGBT 부품 , 1 1/2 모듈 l) |
| 0.072 | K/W |
Rac | 교차점 -에 -사례 (다이오드 부품 , 전 작업 1/2 모듈) |
| 0.13 | K/W |
Roc | 케이스-싱크 (전도성 그리스 적용) | 0.035 |
| K/W |
무게 | 무게 of 모듈 | 300 |
| g |
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