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IGBT 모듈 1200V

IGBT 모듈 1200V

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GD2400SGT120C3S, IGBT 모듈, STARPOWER

1200V,2400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD2400SGT120C3S
  • 소개
  • 개요
소개

간략한 소개

IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산,1200V 2400A.

특징

  • 낮은 VCE (위성) 트렌치 IGBT 기술
  • 10μs 단회로 능력
  • 양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
  • 낮은 인덕턴스 케이스
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
  • DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

전형적 응용

  • AC 인버터 드라이브
  • 비상 전원 공급 장치
  • 풍력 터빈

절대 최대 등급 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

설명

GD2400SGT120C3S

유닛

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

± 20

V

I C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

3400

A

2400

I 센티미터 (1)

펄스 콜렉터 전류 t = 1밀리초

4800

A

I F

다이오드 연속 전류

2400

A

I Fm

다이오드 최대의 앞회수 임대료

4800

A

D

최대 전력 분산 @ T j = 150°C

9.6

KW

T j

최대 분기 온도

150

°C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

°C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

장착

신호 단자 나사:M4

전원 단자 나사:M8

1.8에서 2.1

8.0에서 10

N.M

토크

장착 스ikulu:M6

4.25에서 5.75

전기적 특성 of IGBT T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

특징이 없네요

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V (BR )CES

수집자-출출자

피⌂크다운 전압

T j =25 °C

1200

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출

전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C

400

부적절함

특징 에 관한 것

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V GE (번째 )

게이트 발산자 문

전압

I C =96 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C = 2400A,V GE =15V, T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C = 2400A,V GE =15V, T j = 125°C

2.00

2.45

변동 특성

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

Q g

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

23.0

μC

R Gint

내부 게이트 저항

T j =25 °C

0.8

Ω

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =2400A, R Gon = 1.2Ω

R 고프 =0.3Ω

V GE = ± 15V,T j =25 °C

600

NS

T R

상승 시간

215

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

815

NS

T F

하강 시간

155

NS

전환 손실

/

mJ

끄다

턴오프 스위칭 손실

/

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =2400A, R Gon = 1.2Ω

R 고프 =0.3Ω

V GE = ± 15V,T j = 125°C

665

NS

T R

상승 시간

235

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

970

NS

T F

하강 시간

185

NS

전환 손실

491

mJ

끄다

턴오프 스위칭 손실

379

mJ

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

172

NF

C

출력 용량

9.01

NF

C res

역전환

용량

7.81

NF

I SC

SC 데이터

T s C 10μs,V GE =15V, T j =125 °C V CC =900V, V CEM 1200V

9600

A

L CE

방랑 인덕턴스

12

nH

R CC + EE

모듈 리드 저항 ce, 터미널에서 칩으로

0.19

m Ω

전기적 특성 of 다이오드 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =2400A

T j =25 °C

1.65

2.15

V

T j = 125°C

1.65

2.15

Q R

회복 전하

I F =2400A,

V R =600V,

R Gon = 1.2Ω

V GE =- 15V

T j =25 °C

240

μC

T j = 125°C

450

I RM

역회복 전류

T j =25 °C

1600

A

T j = 125°C

2200

rec

역회복 에너지

T j =25 °C

65

mJ

T j = 125°C

120

열 특성 ics

상징

매개변수

전형적인.

최대.

유닛

R θ JC

부문별 (IGB당) T)

13

K/kW

R θ JC

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

23

K/kW

R θ CS

케이스-싱크

(전도성 그리스 적용, per 모듈)

6

K/kW

무게

무게 of 모듈

1500

g

개요

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