IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD225HTT120C7S

유닛

V CES

컬렉터-이미터 전압 @ T j =25 °C

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압 @ T j =25 °C

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

400

225

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1 ms

450

A

전 tot

총 전력 소산 @ T j =175 °C

1442

W

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V (BR )CES

수집자-출출자

피⌂크다운 전압

T j =25 °C

1200

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C

400

부적절함

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =9.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =225A,V GE =15V, T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C =225A,V GE =15V, T j =125 °C

2.00

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =225A, R g =3.3Ω,V GE =±15V, T j =25 °C

251

NS

T R

상승 시간

89

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

550

NS

T F

하강 시간

125

NS

이 에

켜 Switching 손실

/

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

/

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =225A, R g =3.3Ω,V GE =±15V, T j =125 °C

305

NS

T R

상승 시간

100

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

660

NS

T F

하강 시간

162

NS

이 에

켜 Switching 손실

15.1

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

35.9

mJ

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

16.0

NF

C 소

출력 용량

0.84

NF

C res

역전환

용량

0.73

NF

Q g

게이트 요금

V CC =600V,I C =225A, V GE =15V

2.1

μC

R Gint

내부 게이트 저항기

3.3

Ω

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15 V,

T j =125 °C V CC =900V, V CEM ≤1200V

900

A

상징

설명

GD225HTT120C7S

유닛

V RRM

반복 피크 역전압 @ T j =25 °C

1200

V

I F

DC 순방향 전류 @ T C =80 °C

225

A

I FRM

반복 피크 전방 전류 t 전 =1ms

450

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =225A,

V GE =0V

T j =25 °C

1.65

2.15

V

T j =125 °C

1.65

Q R

회복 전하

I F =225A,

V R =600V,

R g =3.3Ω,

V GE =-15V

T j =25 °C

22

μC

T j =125 °C

43

I RM

피크 역전

회복 전류

T j =25 °C

160

A

T j =125 °C

198

이 rec

역회복 에너지

T j =25 °C

11.2

mJ

T j =125 °C

19.9

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력 소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

2500

V

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항 단자에서 칩까지 @ T C =25 °C

1.10

mΩ

R θ JC

접합부-외피 (IGBT-인버터당) 접합부-외피 (다이오드-인버터당 )

0.104

0.173

K/W

R θ CS

케이스-투-심크 (전도성 지방 응용) 거짓말)

0.005

K/W

T jmax

최대 분기 온도

175

°C

T STG

보관 온도 범위

-40

125

°C

장착 토크

전원 터미널 나사:M6

장착 스ikulu:M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

무게 모듈

910

g