GD200SGL120C2S, IGBT 모듈, STARPOWER

IGBT 모듈 1200V

GD200SGL120C2S,IGBT 모듈,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200SGL120C2S

소개
개요
등가 회로 도식

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 , STARPOWER에서 제작. 1200V 200A.

특징

높은 단회로 능력, 6*IC로 자결
10μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

전형적 응용

AC 인버터 드라이브
스위치 모드 전원 공급 장치
전자 용접기 f에서 _SW 최대 20kHz

절대 최대 등급 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	설명	GD200SGL120C2S	유닛
V CES	컬렉터-이미터 전압	1200	V

V GES	게이트-이미터 전압	± 20	V
I C	콜렉터 전류 @ T C = 25°C @ T C = 100°C	400	A
I C	콜렉터 전류 @ T C = 25°C @ T C = 100°C	200	A
I 센티미터 (1)	펄스 콜렉터 커리 nt	400	A
I F	다이오드 연속 전류	200	A
I Fm	다이오드 최대의 앞회수 임대료	400	A
전 D	최대 전력 분산 @ T j = 175°C	1875	W
T SC	단회로 견딜 시간 @ T j =125 °C	10	μs
T jmax	최대 분기 온도	175	°C
T j	작동점 온도	-40에서 +150	°C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	°C
I 2t값, 다이오드	V R =0V, t=10ms, T j =125 °C	6900	A 2s
V iso	격리 전압 RMS, f=50Hz, t=1min	2500	V
장착 모터	전원 터미널 나사:M6	2.5에서 5	N.M
장착 모터	장착 스ikulu:M6	3 에 6	N.M

노트:

(1) 반복적 등급 : 펄스 폭 제한된 에 의해 최대 . 교차점 온도

전기적 특성 of IGBT T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

특징이 없네요

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	유닛
BV CES	수집자-출출자 피⌂크다운 전압	T j =25 °C	1200			V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C			5.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C			400	부적절함

특징 에 관한 것

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	유닛
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =4 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C	5	6.2	7.0	V
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =200A,V GE =15V, T j =25 °C		1.8		V
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =200A,V GE =15V, T j = 125°C		2.0		V

변동 특성

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A,

R g =5Ω, V GE = ± 15V,

110

T R

상승 시간

T D (끄다 )

그림 지연 시간

T j =25 °C

360

T F

하강 시간

V CC =600V,I C =200A,

R g =5Ω, V GE = ± 15V,

T j =25 °C

이 에

팅 스위치 손실

이 끄다

그림 전환 손실

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A,

R g =5Ω,V GE = ± 15 V,

T j = 125°C

120

T R

상승 시간

T D (끄다 )

그림 지연 시간

420

T F

하강 시간

이 에

팅 스위치 손실

이 끄다

그림 전환 손실

C ies

입력 용량

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

18.0

C 소

출력 용량

1.64

C res

역전환

용량

0.72

I SC

SC 데이터

T s C ≤ 10μs, V GE =15 V,

T j =125 °C , V CC =900V,

V CEM ≤ 1200V

1080

L CE

방랑 인덕턴스

R CC + EE ’

모듈 리드

저항, 단자 에 칩

T C =25 °C

0.18

m Ω

전기적 특성 of 다이오드 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건		최소.	전형적인.	최대.	유닛
V F	다이오드 앞 전압	I F =200A	T j =25 °C		2.0	2.2	V
V F	다이오드 앞 전압	I F =200A	T j = 125°C		2.2	2.3	V
Q R	다이오드 역전 회복 전하	I F =200A, V R =600V, di/dt=-6000A/μs, V GE =- 15V	T j =25 °C		24		μC
Q R	다이오드 역전 회복 전하		T j = 125°C		32		μC
I RM	다이오드 피크 역회복 전류		T j =25 °C		240		A
I RM	다이오드 피크 역회복 전류		T j = 125°C		280		A
이 rec	역회복 에너지		T j =25 °C		6		mJ
이 rec	역회복 에너지		T j = 125°C		10		mJ

열 특성 ics

상징	매개변수	전형적인.	최대.	유닛
R θ JC	융합체 (IGBT 부분, pe) r 모듈)		0.08	K/W
R θ JC	모듈당 부착 (DIOD 부품) e)		0.17	K/W
R θ CS	케이스-투-심크 (전도성 지방) )	0.035		K/W
무게	무게 of 모듈	310		g