IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD200MLT120C2S

유닛

V CES

컬렉터-이미터 전압 @ T j =25 °C

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압 @ T j =25 °C

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

360

200

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1 ms

400

A

전 tot

총 전력 소산 @ T j =175 °C

1163

W

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V (BR )CES

수집자-출출자

피⌂크다운 전압

T j =25 °C

1200

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C

400

부적절함

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =8.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =200A,V GE =15V, T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 °C

2.00

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =3.6Ω,V GE =±15V, T j =25 °C

248

NS

T R

상승 시간

88

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

540

NS

T F

하강 시간

131

NS

이 에

켜 Switching 손실

9.85

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

22.8

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =3.6Ω,V GE =±15V, T j = 125°C

298

NS

T R

상승 시간

99

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

645

NS

T F

하강 시간

178

NS

이 에

켜 Switching 손실

15.1

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

34.9

mJ

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

14.4

NF

C 소

출력 용량

0.75

NF

C res

역전환

용량

0.65

NF

Q g

게이트 요금

V CC =600V,I C =200A, V GE =-15 ﹍+15V

1.90

μC

R Gint

내부 게이트 저항기

3.8

Ω

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15 V,

T j =125 ℃,V CC =900V, V CEM ≤1200V

800

A

상징

설명

GD200MLT120C2S

유닛

V RRM

반복 피크 역전압 @ T j =25 °C

1200

V

I F

DC 전류 T C 8 0°C

200

A

I FRM

반복 피크 전방 전류 t 전 =1ms

400

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =200A

T j =25 °C

1.65

2.10

V

T j =125 °C

1.65

Q R

회복 전하

I F =200A,

V R =600V,

R g =3.6Ω,

V GE =-15V

T j =25 °C

20.0

μC

T j =125 °C

26.1

I RM

피크 역전

회복 전류

T j =25 °C

151

A

T j =125 °C

190

이 rec

역회복 에너지

T j =25 °C

9.20

mJ

T j =125 °C

17.1

상징

설명

GD200MLT120C2S

유닛

V RRM

반복 피크 역전압 @ T j =25 °C

1200

V

I F

DC 전류 T C 8 0°C

200

A

I FRM

반복 피크 전방 전류 t 전 =1ms

400

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =200A,

V GE =0V

T j =25 °C

1.65

2.10

V

T j =125 °C

1.65

Q R

회복 전하

I F =200A,

V R =600V,

R g =3.6Ω,

V GE =-15V

T j =25 °C

20.0

μC

T j =125 °C

26.1

I RM

피크 역전

회복 전류

T j =25 °C

151

A

T j =125 °C

190

이 rec

역회복 에너지

T j =25 °C

9.20

mJ

T j =125 °C

17.1

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

V

R θ JC

IGBT당 접합-케이스 (T1 T2 T3 T4) 다이오드당 접합-케이스 (D1 D2 D3 D4) 다이오드당 접합-케이스 (D5 D6)

0.129 0.237 0.232

K/W

R θ CS

케이스-투-심크 (전도성 지방 응용) 거짓말)

0.035

K/W

T jmax

최대 분기 온도

175

°C

T jop

작동점 온도

-40

150

T STG

보관 온도 범위

-40

125

°C

장착 토크

전원 터미널 나사:M6

장착 나사:M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

무게

무게 모듈

340

g