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IGBT 모듈 1200V

IGBT 모듈 1200V

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GD200HFT120B3S_G8,IGBT 모듈,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200HFT120B3S_G8
  • 소개
  • 개요
  • 등가 회로 도식
소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,STARPOWER에서 제작. 1200V 200A.

특징

  • 낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
  • 10μs 단회로 능력
  • 양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
  • 최대 접합 온도 175oC
  • 낮은 인덕턴스 케이스
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
  • DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

전형적 응용

  • 모터 드라이브용 인버터
  • AC 및 DC 서보 드라이브 앰프
  • 단전 보호 장치

절대 최대 등급 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징

설명

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±30

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

330

200

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t =1ms

400

A

D

최대 전력 분산 @ T j =1 75°C

1103

W

다이오드

상징

설명

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

200

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t =1ms

400

A

모듈

상징

설명

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

°C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

°C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

°C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1

4000

V

IGBT 특성 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =200A,V GE =15V, T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 °C

1.95

I C =200A,V GE =15V, T j =150 °C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =8.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 °C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.0

Ω

C ies

입력 용량

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

18.2

NF

C res

역전환

용량

0.56

NF

Q g

게이트 요금

V GE =15V

1.20

μC

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =3.0Ω,V GE =±15V, T j =25 °C

213

NS

T R

상승 시간

64

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

280

NS

T F

하강 시간

180

NS

Switching

손실

4.10

mJ

끄다

그림 전환

손실

16.3

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =3.0Ω,V GE =±15V, T j = 125°C

285

NS

T R

상승 시간

78

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

363

NS

T F

하강 시간

278

NS

Switching

손실

7.40

mJ

끄다

그림 전환

손실

23.0

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =3.0Ω,V GE =±15V, T j = 150°C

293

NS

T R

상승 시간

81

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

374

NS

T F

하강 시간

327

NS

Switching

손실

8.70

mJ

끄다

그림 전환

손실

25.2

mJ

I SC

SC 데이터

T ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 °C ,V CC =900V, V CEM ≤1200V

800

A

다이오드 특성 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I C =200A,V GE =0V,T j =25 °C

2.15

2.55

V

I C =200A,V GE =0V,T j = 125°C

2.20

I C =200A,V GE =0V,T j = 150°C

2.15

Q R

회복

충전

V R =600V,I F =200A,

R g =3.0Ω, V GE =-15V

T j =25 °C

16.2

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

169

A

rec

역회복 에너지

10.2

mJ

Q R

회복

충전

V R =600V,I F =200A,

R g =3.0Ω, V GE =-15V

T j = 125°C

24.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

204

A

rec

역회복 에너지

16.2

mJ

Q R

회복

충전

V R =600V,I F =200A,

R g =3.0Ω, V GE =-15V

T j = 150°C

31.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

222

A

rec

역회복 에너지

19.4

mJ

모듈 특성 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항 단자에서 칩까지

0.35

R θ JC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

0.136

0.194

K/W

R θ CS

케이스-싱크 (IGBT당)

케이스-싱크 (다이오드당)

0.060

0.085

K/W

R θ CS

케이스-싱크

0.035

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g

개요

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