IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD200HFL120C2S

유닛

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

± 20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

360

A

200

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

400

A

I F

다이오드 연속 전류

200

A

I Fm

다이오드 최대의 앞회수 임대료

400

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j = 175°C

1364

W

T j

최대 분기 온도

175

°C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

°C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

°C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

장착 모터

전원 터미널 나사:M6

2.5에서 5.0

N.M

장착 스ikulu:M6

3.0에서 5.0

N.M

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V (BR )CES

수집자-출출자

피⌂크다운 전압

T j =25 °C

1200

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출

전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C

400

부적절함

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V GE (번째 )

게이트 발산자 문

전압

I C =8.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =200A,V GE =15V, T j =25 °C

1.90

2.35

V

I C =200A,V GE =15V, T j = 125°C

2.10

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =5.1Ω,V GE = ± 15 V, T j =25 °C

437

NS

T R

상승 시간

75

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

436

NS

T F

하강 시간

165

NS

이 에

팅 스위치

손실

10.0

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

15.0

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =5.1Ω,V GE = ± 15V, T j = 125°C

445

NS

T R

상승 시간

96

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

488

NS

T F

하강 시간

258

NS

이 에

팅 스위치

손실

15.9

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

22.3

mJ

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

14.9

NF

C 소

출력 용량

1.04

NF

C res

역전환

용량

0.68

NF

I SC

SC 데이터

T s C ≤ 10μs,V GE =15V, T j =125 °C V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

R Gint

내부 게이트 저항 저항

1.0

Ω

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC + EE ’

모듈 리드 저항 ce, 터미널에서 칩으로

T C =25 °C

0.35

m Ω

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =200A

T j =25 °C

1.82

2.25

V

T j = 125°C

1.95

Q R

회복 전하

I F =200A,

V R =600 V,

di/dt=-2370A/μs, V GE =- 15V

T j =25 °C

16.6

μC

T j = 125°C

29.2

I RM

피크 역전

회복 전류

T j =25 °C

156

A

T j = 125°C

210

이 rec

역회복 에너지

T j =25 °C

9.3

mJ

T j = 125°C

16.0

상징

매개변수

전형적인.

최대.

유닛

R θ JC

부수 (IG당) BT)

0.11

K/W

R θ JC

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.14

K/W

R θ CS

케이스-투-심크 (전도성 지방) )

0.035

K/W

무게

무게 of 모듈

300

g