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IGBT 모듈 1200V

IGBT 모듈 1200V

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GD200HFK60C8SN, IGBT 모듈, STARPOWER

1200V 200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200HFK60C8SN
  • 소개
  • 개요
  • 등가 회로 도식
소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,STARPOWER에서 제작. 1200V 200A.

특징

  • NPT IGBT 기술
  • 10μs 단회로 능력
  • 양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
  • 견고한 초고속 성능
  • 제곱 RBSOA
  • 낮은 인덕턴스 케이스
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
  • DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

전형적 응용

  • 전기 용접기
  • 스위칭 전원 공급 장치
  • UPS

절대 최대 등급 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

설명

GD200HFK60C8SN

유닛

V CES

컬렉터-이미터 전압

600

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

283

200

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t =1 ms

400

A

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

200

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t =1ms

400

A

D

최대 전력 분산 @ T j =1 50°C

714

W

T jmax

최대 분기 온도

150

°C

T jop

작동점 온도

-40에서 +125

°C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

°C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1

2500

V

장착 토크

전원 터미널 나사:M5

설치 나사:M5

2.5에서 3.5

2.5에서 3.5

N.M

무게

무게 모듈

200

g

전기적 특성 of IGBT T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

특징이 없네요

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V (BR )CES

수집자-출출자

피⌂크다운 전압

T j =25 °C

600

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C

400

부적절함

특징 에 관한 것

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =500μA, V CE = V GE , T j =25 °C

3.5

4.5

5.5

V

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =200A,V GE =15V, T j =25 °C

1.80

2.25

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 °C

2.10

변동 특성

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =300V,I C =200A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, T j =25 °C

320

NS

T R

상승 시간

123

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

318

NS

T F

하강 시간

90

NS

Switching

손실

2.79

mJ

끄다

그림 전환

손실

5.08

mJ

T D ()

턴온 지연 시간

V CC =300V,I C =200A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, T j =125 °C

339

NS

T R

상승 시간

125

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

344

NS

T F

하강 시간

113

NS

Switching

손실

3.00

mJ

끄다

그림 전환

손실

6.95

mJ

C ies

입력 용량

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

16.9

NF

C

출력 용량

0.88

NF

C res

역전환

용량

0.42

NF

I SC

SC 데이터

T ≤ 10μs,V GE =15 V,

T j =125 °C V CC =360V, V CEM ≤600V

1800

A

Q g

게이트 요금

V CC =400V, I C =200A, V GE =15V

0.72

μC

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.35

Ω

L CE

방랑 인덕턴스

22

nH

R CC+EE

모듈 리드

저항력

터미널에서 칩으로

0.65

전기적 특성 of 다이오드 T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =200A

T j =25 °C

1.33

1.78

V

T j =125 °C

1.30

Q R

회복

충전

I F =200A,

V R =300V,

R g =6.8Ω,

V GE =-15V

T j =25 °C

9.3

μC

T j =125 °C

13.2

I RM

피크 역전

회복 전류

T j =25 °C

112

A

T j =125 °C

125

rec

역회복 에너지

T j =25 °C

2.09

mJ

T j =125 °C

3.22

열 특성 ics

상징

매개변수

전형적인.

최대.

유닛

R θ JC

부문별 (IGB당) T)

0.175

K/W

R θ JC

부대와 부대 (D당) 요오드)

0.317

K/W

개요

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