IGBT 모듈 1200V

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

300

200

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

400

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =150 O C

1157

W

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

200

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

400

A

상징

설명

값

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

150

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +125

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =200A,V GE =15V, T j =25 O C

2.15

2.60

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 O C

2.65

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

4.8

5.7

6.3

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.0

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

12.9

NF

C res

역전환

용량

0.82

NF

Q g

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

2.05

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =5.1Ω,V GE =±15V, T j =25 O C

373

NS

T R

상승 시간

104

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

459

NS

T F

하강 시간

168

NS

이 에

켜 Switching

손실

12.9

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

17.1

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =200A, R g =5.1Ω,V GE =±15V, T j = 125O C

373

NS

T R

상승 시간

105

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

475

NS

T F

하강 시간

197

NS

이 에

켜 Switching

손실

17.4

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

23.7

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1500

A