IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±30

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

630

400

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

800

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

2083

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

400

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

800

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =400A,V GE =15V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =400A,V GE =15V, T j =125 O C

1.95

I C =400A,V GE =15V, T j =150 O C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.7

6.5

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

39.6

NF

C res

역전환

용량

1.20

NF

Q g

게이트 요금

V GE =15V

2.40

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =2.0Ω,

V GE =±15V, T j =25 O C

408

NS

T R

상승 시간

119

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

573

NS

T F

하강 시간

135

NS

이 에

켜 Switching

손실

10.5

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

36.2

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 125O C

409

NS

T R

상승 시간

120

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

632

NS

T F

하강 시간

188

NS

이 에

켜 Switching

손실

13.2

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

53.6

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 150O C

410

NS

T R

상승 시간

123

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

638

NS

T F

하강 시간

198

NS

이 에

켜 Switching

손실

14.4

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

56.1

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1600

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

I F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.85

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15V T j =25 O C

40.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

259

A

이 rec

역회복 에너지

19.7

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15V T j = 125O C

67.9

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

323

A

이 rec

역회복 에너지

32.6

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=3350A/μs,V GE =- 15V T j = 150O C

77.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

342

A

이 rec

역회복 에너지

38.3

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.35

mΩ

R θ JC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

0.072

0.095

K/W

R θ CS

케이스-싱크 (IGBT당)

케이스-싱크 (다이오드당)

0.123

0.162

K/W

R θ CS

케이스-싱크

0.035

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

무게 모듈

300

g