IGBT Модулі 4500V

параметр

Символ

Шарттары

құн

Ауысубірлік

Жинақтаушы‐эмитентАуысукернеу

vCES

vГЭ=0В,tvj=25°c

4500

v

АуысуdcАуысуЖинақтаушыАуысуағымды

ic

tc=100°С,tvj=125°c

3000

a)

ШұңқырыАуысуЖинақтаушыАуысуағымды

iсм

tp= 1мс

6000

a)

Gate‐эмитентАуысукернеу

vГЭС

Ауысу

±20

v

жалпыАуысуқуаттылығыАуысушашырау

ptot

tc=25°С,tvj=125°c

31200

w

dcАуысуАлғаАуысуағымды

if

Ауысу

3000

a)

ШұңқырыАуысуАлғаАуысуағымды

iҚРМ

tp= 1мс

6000

a)

СуржАуысуағымды

iFSM

vr=0В,tvj=125°С,

tp=10мс,жартысы‐синусоидалық

21000

a)

IGBTАуысуқысқаАуысуконтурАуысуSOA

tпск

vCC= 3400В,vКЕМАуысусынық≤4500VАуысуvГЭ≤15V,tvj≤125°c

10

μs

ең көпАуысуБөлшеуішАуысутемпературасы

tvj(ең көп)

Ауысу

125

°C

БөлшеуішАуысужұмыс істеуАуысутемпературасы

tvj(операциясы)

Ауысу

‐40~125

°C

жағдайАуысутемпературасы

tc

Ауысу

‐40~125

°C

сақтауАуысутемпературасы

tЖТГ

Ауысу

‐40~70

°C

орнатуАуысукүш

fм

Ауысу

90~130

кн

параметр

Символ

Шарттары

құн

Ауысубірлік

минут.

Тип.

ең көп.

Алға кернеу

vf

if=3000A

tvj=25°C

Ауысу

2.60

Ауысу

v

tvj=125°C

Ауысу

2.85

Ауысу

v

КеріАуысуҚайта қалпына келтіру тогы

iрр

Ауысу

Ауысу

IF=3000A,   VR=2800V,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH,

Индуктивті жүктеме

tvj=25°C

Ауысу

1690

Ауысу

a)

tvj=125°C

Ауысу

2750

Ауысу

a)

КеріАуысуАлу ақысы

qрр

tvj=25°C

Ауысу

3000

Ауысу

uC

tvj=125°C

Ауысу

3950

Ауысу

uC

КеріАуысуқалпына келтіру уақыты

tрр

tvj=25°C

Ауысу

1.80

Ауысу

біз

tvj=125°C

Ауысу

2.20

Ауысу

біз

КеріАуысуҚалпына келтіруАуысуэнергияАуысуЖоғалту

ерек

tvj=25°C

Ауысу

4000

Ауысу

МЖ

tvj=125°C

Ауысу

6300

Ауысу

МЖ