IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

GD1200SGT120A3S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тоғысы @tc=25°C

@ Тc=80°C

2100

1200

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp= 1мс

2400

a)

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

1200

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

2400

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj= 175°C

7.61

кв

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tЖТГ

сақтау температурасыдиапазоны

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

орнатуАуысуқозғалтқыш күші

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

1.8 дейінАуысу2.1

Ауысу

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-денАуысу10

n.m

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=48ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=Ауысу1200A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

v

ic=Ауысу1200A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.00

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=1200A,

rҚон=1.8Ω,rГофф=0.62Ω,vГЭ=±15В,Тj=25°C

Ауысу

550

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

230

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

830

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

160

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

/

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

/

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=Ауысу1200А,Ауысу

rҚон=Ауысу1.8Ω,RГофф=0.62Ω,vГЭ=±15В,Тj=125°C

Ауысу

650

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

240

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

970

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

190

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

246

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

189

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

85.5

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

4.48

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

3.87

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15АуысуV,

tj=125°C,

vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

4800

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпа

қарсылық

Ауысу

Ауысу

1.9

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

15

Ауысу

nH

Ауысу

rCC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.10

Ауысу

Ауысу

mΩ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=Ауысу1200A

tj=25°C

Ауысу

1.65

2.05

v

tj=125°C

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

if=Ауысу1200А,

vr=600В,

rҚон=0.6Ω,

vГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

112

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

224

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

850

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

1070

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tj=25°C

Ауысу

48.0

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

96.0

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

19.7

K/kW

rθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

31.3

K/kW

rθКС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік)

8

Ауысу

K/kW

салмағы

салмағыАуысуМодуль

1050

Ауысу

g