IGBT Модулі 1200V

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=90лыc

900

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

3409

w

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vРРМ

Қайталау Пик Кері Кернеужасы

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

900

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1800

a)

iFSM

Ағын Алға Ағым  tp=10ms  @tj=25лыcАуысу@ Тj=150лыc

4100

3000

a)

i2t

i2t-мәні,tp=10ms  @ Tj=25лыc

@ Тj=150лыc

84000

45000

a)2s

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Изоляция Кернеуі  RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.40

1.85

Ауысу

Ауысу

v

ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.60

Ауысу

ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=175лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic= 24,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.5

6.3

7.0

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25V,f=100kHz,АуысуvГЭ=0В

Ауысу

51.5

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.36

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

13.6

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,АуысуvГЭ=-8V/+15V,

tj=25лыc

Ауысу

330

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

140

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

842

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

84

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

144

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

87.8

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,АуысуvГЭ=-8V/+15V,

tj=125лыc

Ауысу

373

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

155

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

915

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

135

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

186

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

104

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,АуысуvГЭ=-8V/+15V,

tj=175лыc

Ауысу

390

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

172

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

950

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

162

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

209

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

114

Ауысу

МЖ

Ауысу

Ауысу

isc

Ауысу

Ауысу

SC деректері

tp≤8μs,VГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМАуысу≤1200В

Ауысу

Ауысу

3200

Ауысу

Ауысу

a)

tp≤6μs,VГЭ=15В,

tj=175лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМАуысу≤1200В

Ауысу

Ауысу

3000

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=900A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.55

2.00

Ауысу

v

if=900A,VГЭ=0В,Тj= 125лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

if=900A,VГЭ=0В,Тj= 175лыc

Ауысу

1.55

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=4930A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,tj=25лыc

Ауысу

91.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

441

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

26.3

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=4440A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,tj=125лыc

Ауысу

141

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

493

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

42.5

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=4160A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,tj=175лыc

Ауысу

174

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

536

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

52.4

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

∆R/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=100АуысулыcР100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттылығы

шашырау

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

b25/80

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3411

Ауысу

k

b25/100

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3433

Ауысу

k

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

20

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

Ауысу

0.80

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.044

0.076

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (per Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.028

0.049

0.009

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуБолт M5

3.0

3.0

Ауысу

6.0

6.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

350

Ауысу

g