IGBT Модулі 1700V

параметр

Символ

Шарттары

минут

ең көп

бірлік

Жинағыш-эмиттер кернеуі

ККЕЖ

VGE =0V,Tvj ≥25°C

Ауысу

1700

v

Бірқалыпты коллектордың тогы

i

ТК = 80°С

Ауысу

3600

a)

Жинақтың ең жоғары тогы

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

Ауысу

7200

a)

Қақпа-эмиттер кернеуі

VGES

Ауысу

-20

20

v

Толық қуаттың шашырауы

Ptot

TC = 25°C, персключ ((IGBT)

Ауысу

17800

w

DC алға ағым

егер

Ауысу

Ауысу

3600

a)

Шың алға ағым

МКБЖ

tp=1ms

Ауысу

7200

a)

Қаттылық тогы

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, жарты синус толқыны

Ауысу

18000

a)

IGBT қысқа тұйықталу SOA IGBT

Ауысу

tpsc

Ауысу

VCC =1200В,VCEMCHIP≤1700В VGE ≤15В,Tvj≤125°C

Ауысу

Ауысу

10

Ауысу

μs

Изоляция кернеуі

Визоль

1 минут, f=50 Гц

Ауысу

4000

v

Байланыс температурасы

TVj

Ауысу

Ауысу

175

°C

Бүйірдегі жұмыс температурасы

Теледидар

Ауысу

-50

150

°C

Корпус температурасы

tc

Ауысу

-50

125

°C

сақтау температурасы

ТСТГ

Ауысу

-50

125

°C

Орнату моменттері

мс

Ауысу

4

6

Ауысу

нм

Mt1

Ауысу

8

10

Mt2

Ауысу

2

3

параметр

Символ

Шарттары

минут

түрі

ең көп

бірлік

Жинағыш (- шығарушы) бөлінісіАуысукернеу

V(BR) CES

VGE =0V,IC =10mA, Tvj =25°C

1700

Ауысу

Ауысу

v

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуіАуысу

Ауысу

VCEsat

IC = 3600A, VGE = 15В

Tvj= 25°C

Ауысу

2.5

Ауысу

v

Tvj=125°C

Ауысу

3.0

Ауысу

v

Tvj=150°C

Ауысу

3.1

Ауысу

v

Коллектордың ток ағыны үзілдіАуысу

Ауысу

ICES

VCE = 1700V, VGE = 0V

Tvj= 25°C

Ауысу

Ауысу

10

ана

Tvj=125°C

Ауысу

Ауысу

100

ана

Tvj=150°C

Ауысу

170

Ауысу

ана

Қақпаның ағып кету тогыАуысу

ИГЭС

VCE =0В,VGE =20В, Tvj =125°C

-500

Ауысу

500

н

Gate-эмиттер шекті кернеуіАуысу

VGE (th)

IC = 240mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C

5.3

Ауысу

7.3

v

Қақпалық төлемАуысу

Бас басқарма

IC = 2400A,VCE = 900V,VGE =-15V... 15V

Ауысу

21.0

Ауысу

μC

Кіріс сыйымдылығыАуысу

Қалғандары

Ауысу

Ауысу

VCE = 25V,VGE = 0V,f=1MHz,Tvj = 25°C

Ауысу

239

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

НФ

Шығарылымдық сыйымдылықАуысу

Коэ

Ауысу

20.9

Ауысу

Кері байланыс сыйымдылығыАуысу

Крес

Ауысу

9.24

Ауысу

Қалпына келтіру кешіктіру уақытыАуысу

Ауысу

Тд ((олтырау)

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

VCC = 900В, IC = 3600А, RG = 2,2Ω, VGE = ± 15В, Lσ = 280nH,Ауысу

Tvj = 25 °C

Ауысу

1200

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

н

Tvj = 125 °C

Ауысу

1500

Ауысу

Tvj = 150 °C

Ауысу

1600

Ауысу

Күтерілу уақытыАуысу

Ауысу

tr

Tvj = 25 °C

Ауысу

1400

Ауысу

Tvj = 125 °C

Ауысу

1600

Ауысу

Tvj = 150 °C

Ауысу

1700

Ауысу

Сөндіру кешігу уақытыАуысу

Ауысу

Тд (оң)

Tvj = 25 °C

Ауысу

3000

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

н

Tvj = 125 °C

Ауысу

3500

Ауысу

Tvj = 150 °C

Ауысу

3700

Ауысу

Күз мезгіліАуысу

Ауысу

Тф

Tvj = 25 °C

Ауысу

500

Ауысу

Tvj = 125 °C

Ауысу

560

Ауысу

Tvj = 150 °C

Ауысу

620

Ауысу

Қалпына келтіру кезінде энергия жоғалтуАуысу

Ауысу

Эон

Tvj = 25 °C

Ауысу

2700

Ауысу

Ауысу

МЖ

Tvj = 125 °C

Ауысу

2900

Ауысу

Tvj = 150 °C

Ауысу

3200

Ауысу

Қалпына келтіру кезінде энергияның жоғалуыАуысу

Ауысу

Еоф

Tvj = 25 °C

Ауысу

3800

Ауысу

Ауысу

МЖ

Tvj = 125 °C

Ауысу

4100

Ауысу

Tvj = 150 °C

Ауысу

4400

Ауысу

Қысқа тоқАуысу

еск

tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V

Ауысу

10000

Ауысу

a)