IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD450HFL120B3S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ t Ц =25 °C

@ Т Ц = 100°C

715

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

900

А

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

900

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 1 75°C

2679

W

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

Орнату Торк

Электр қуаты терминал бұрандасы:M5

Тіркемелік бұранда:M6

2,5 -ге дейін 5.0

3.0-ден 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 18,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

5.8

7.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =25 °C

2.00

2.45

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.20

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g =2.2Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 °C

220

н

t R

Күтерілу уақыты

68

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

475

н

t F

Күз мезгілі

55

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

48.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

28.2

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g =2.2Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =125 °C

250

н

t R

Күтерілу уақыты

72

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

530

н

t F

Күз мезгілі

80

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

66.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

45.0

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

31.8

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

2.13

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.41

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =125 °C, V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1950

А

Q g

Қақпалық төлем

V CC = 600В,I Ц =450А, V ГЭ =-15 ﹍+15В

4.59

μC

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.7

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.35

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =450А

V ГЭ =0В

t ж =25 °C

1.72

2.12

V

t ж =125 °C

1.73

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

I F =450А,

V R =600В,

R g =2.2Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

36.2

μC

t ж =125 °C

78.1

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

234

А

t ж =125 °C

314

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

19.1

МЖ

t ж =125 °C

36.3

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

0.056

К/W

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.107

К/W

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

0.035

К/W

Салмақ

Салмақ Модуль

300

g