IGBT Модулі 4500V

параметр

Символ

Шарттары

құн

бірлік

АуысуЖинағыш-эмиттер кернеуі

vCES

vГЭ=0В,tvj=25°c

4500

v

АуысуDC коллекторАуысумрент

ic

tc=100°C,Tvj=125°c

2000

a)

Жинақтың ең жоғары тогы

iсм

tp=1 мс

4000

a)

Gate- Мен...эмитентАуысукернеу

vГЭС

Ауысу

±20

v

жалпыАуысуқуаттылығыАуысушашырау

ptot

tc=25°C,Tvj=125°c

20800

w

dcАуысуАлға Cuрент

if

Ауысу

2000

a)

ШұңқырыАуысуАлға Curжалға алу

iҚРМ

tp=1 мс

4000

a)

Қаттылық тогы

iFSM

vr=0В,Тvj=125°С,

tp=10ms,жарты-синусоид

14000

a)

IGBT Қысқа Цикл SOA

tпск

vCC= 3400В,vКЕМАуысусынық≤4500VАуысуvГЭ≤15V,Tvj≤125°c

10

μs

Максималды Джункиятемпературасы

tvj(ең көп)

Ауысу

125

°C

БөлшеуішАуысужұмыс температурасы

tvj(операциясы)

Ауысу

-40 ~ 125

°C

Корпус температурасы

tc

Ауысу

-40 ~ 125

°C

сақтау температурасы

tЖТГ

Ауысу

-40~70

°C

Орнату күші

fм

Ауысу

60~75

кн

параметр

 Символ

Шарттары

құн

бірлік

Мин.

Тип.

ең көп.

Коллектор-Эмиттер Бөліну Кернеуі

V(BR) CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃

4500

Ауысу

Ауысу

v

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі

VCE (sat)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25℃

Ауысу

2.70

3.05

v

Tvj=125℃

Ауысу

3.35

3.85

v

Коллектор-Эмиттер Қиып Алу Ағымы

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25℃

Ауысу

Ауысу

1

ана

Tvj=125℃

Ауысу

15

100

ана

Қақпақ-Эмиттер ағып кету тогы

ИГЭС

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃

-500

Ауысу

500

н

Gate-эмиттер шекті кернеуі

VGE (th)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃

6.7

Ауысу

7.7

v

Қақпалық төлем

Бас басқарма

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

Ауысу

10

Ауысу

μC

Кіріс сыйымдылығы

Қалғандары

Ауысу

Ауысу

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃

Ауысу

213

Ауысу

НФ

Шығарылымдық сыйымдылық

Коэ

Ауысу

15.3

Ауысу

НФ

Кері байланыс сыйымдылығы

Крес

Ауысу

4.7

Ауысу

НФ

Ішкі қақпа кедергісі

RGint

Ауысу

Ауысу

0

Ауысу

О

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Тд ((олтырау)

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=±15V,

RGon=1.8Ω,

RGoff=8.2Ω,

CGE=330nF,

LS=140nH,

Индуктивті жүктеме

Tvj=25℃

Ауысу

1100

Ауысу

н

Tvj=125℃

Ауысу

900

Ауысу

н

Күтерілу уақыты

tr

Tvj=25℃

Ауысу

400

Ауысу

н

Tvj=125℃

Ауысу

450

Ауысу

н

Сөндіру кешігу уақыты

Тд (оң)

Tvj=25℃

Ауысу

3800

Ауысу

н

Tvj=125℃

Ауысу

4100

Ауысу

н

Күз мезгілі

Тф

Tvj=25℃

Ауысу

1200

Ауысу

н

Tvj=125℃

Ауысу

1400

Ауысу

н

Қ включение Көшірмелеу Энергиясы

Эон

Tvj=25℃

Ауысу

14240

Ауысу

МЖ

Tvj=125℃

Ауысу

15730

Ауысу

МЖ

Қ өшірілу Көшірмелеу Энергиясы

Еоф

Tvj=25℃

Ауысу

6960

Ауысу

МЖ

Tvj=125℃

Ауысу

8180

Ауысу

МЖ

Қысқа тоқ

Ауысу

еск

VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃

VCEM CHIP≤4500V

Ауысу

Ауысу

8400

Ауысу

Ауысу

a)

параметр

 Символ

Шарттары

құн

 Бірлік

Мин.

Тип.

ең көп.

Алға кернеу

VF

IF=2000A

Tvj=25℃

Ауысу

2.60

Ауысу

v

Tvj=125℃

Ауысу

2.85

Ауысу

v

Кері Қалпына Келтіру Ағымы

Irr

Ауысу

Ауысу

Ауысу

IF=2000A,   VR=2800V, VGE=15V,    RGon=1.8Ω, LS=140nH,

Индуктивті жүктеме

Tvj=25℃

Ауысу

1620

Ауысу

a)

Tvj=125℃

Ауысу

1970

Ауысу

a)

Кері Қалпына Келтіру Заряды

Qrr

Tvj=25℃

Ауысу

1750

Ауысу

uC

Tvj=125℃

Ауысу

2700

Ауысу

uC

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

trr

Tvj=25℃

Ауысу

4.0

Ауысу

біз

Tvj=125℃

Ауысу

5.1

Ауысу

біз

Кері Қалпына Келтіру Энергия Жоғалту

Ерек

Tvj=25℃

Ауысу

2350

Ауысу

МЖ

Tvj=125℃

Ауысу

3860

Ауысу

МЖ