YMIF650-45,IGBT Модулі,4500V 650A | IGBT Модулі 4500V |

IGBT Модулі 4500V

YMIF650-45, IGBT модулі,4500В 650А

IGBT Модулі,4500V 650A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF650-45

кіріспе
сызба

кіріспе

ерекшеліктері

SPT+чип-набор төмен ауысуАуысужоғалтулар
төменАуысуvCеsat
Төмен жүргізуАуысуқуаттылығы
a)lSiC негізі тақтасы жоғарыАуысуқуаттылығыАуысуcциклдікАуысуқабілетy
AlN субстраты төмен жылуАуысуқарсылық

Үлгілікқолдану

Тасымалдаушы жетектер
DC шоппер
Жоғары вольтты инверторлар/конвертерлер

Ауысу

Максималды номиналды мәндер

Параметр/参数	Символ/符号	Шарттар/条件	минут	ең көп	бірлік
Жинағыш-эмиттер кернеуіАуысу集电极-发射极电压	vCES	vГЭАуысу=0В,ТvjАуысу≥25°C	Ауысу	4500	v
DC коллекторАуысуағымдыАуысу集电极电流 (Қосымша)	ic	tcАуысу=80°C	Ауысу	650	a)
Шың коллекторАуысуағымдыАуысу集电极峰值电流	iсм	tp=1ms,Tc=80°C	Ауысу	1300	a)
Қақпа-эмиттер кернеуіАуысу栅极发射极电压	vГЭС	Ауысу	-20	20	v
жалпыАуысуқуаттың шашырауыАуысуЖалпы қуат жоғалту	ptot	tcАуысу=25°C,perswitch(IGBT)	Ауысу	6670	w
DC алға ағымАуысу直流正向电流	if	Ауысу	Ауысу	650	a)
Шың алға ағымАуысу峰值正向电流	iҚРМ	tp=1ms	Ауысу	1300	a)
СуржАуысуағымдыАуысу浪涌电流	iFSM	vrАуысу=0В,ТvjАуысу=125°C,tp=10ms,Ауысужарты-синус толқыны	Ауысу	5300	a)
IGBT қысқаАуысуконтурАуысуSOAАуысуIGBT 短路安全工作区	Ауысу tпск	Ауысу vCCАуысу=3400V,VCEMCHIP≤4500VАуысуvГЭАуысу≤15V,Tvj≤125°C	Ауысу	Ауысу 10	Ауысу μs
Изоляция кернеуіАуысу绝缘 электр қысымы	vтұтастығы	1 минут, f=50 Гц	Ауысу	10200	v
Байланыс температурасыАуысу结温	tvj	Ауысу	Ауысу	150	°C
Байланыс жұмыс температурасыерекшелігіАуысужұмыс температурасы	tvj(op)	Ауысу	-50	125	°C
Корпус температурасыАуысу温	tc	Ауысу	-50	125	°C
сақтау температурасыАуысусақтау температурасы	tЖТГ	Ауысу	-50	125	°C
Орнату моменттеріАуысуорнату күші	мs	Ауысу	4	6	Ауысу нм
	мt1	Ауысу	8	10
	мt2	Ауысу	2	3

Ауысу

IGBT сипаттамалық мәндері

Параметр/参数	Символ/符号	Шарттар/条件		минут	түрі	ең көп	бірлік
ЖинақтаушыАуысу(- эмиттер)АуысубұзылуАуысукернеу 集电极-发射极阻断电压	Ауысу v(BR)CES	vГЭАуысу=0V,IC=10mA,АуысуTvj=25°C		Ауысу 4500	Ауысу	Ауысу	Ауысу v
Коллектор-эмиттер қанықтыруАуысукернеу 集电极-发射极饱和电压	Ауысу vCеsat	icАуысу=650A,АуысуvГЭАуысу=15В	Tvj=Ауысу25°C	Ауысу	2.7	3.2	v
Коллектор-эмиттер қанықтыруАуысукернеу 集电极-发射极饱和电压	Ауысу vCеsat	icАуысу=650A,АуысуvГЭАуысу=15В	Tvj=125°C	Ауысу	3.4	3.8	v
Коллекторды өшіруАуысуағымдыАуысу集电极截止电流集电极截止电流集电极截止电流 топтастырылған электр тогы	iCES	vлыАуысу=4500В,АуысуvГЭАуысу=0В	Tvj=Ауысу25°C	Ауысу	Ауысу	10	ана
	iCES	vлыАуысу=4500В,АуысуvГЭАуысу=0В	Tvj=125°C	Ауысу	Ауысу	100	ана
GateАуысуағындылық ағыныАуысу极漏电流	iГЭС	vлыАуысу=0V,VГЭАуысу=20V,АуысуtvjАуысу=125°С		-500	Ауысу	500	н
Gate-эмиттер шекті кернеуіАуысу栅极发射极阀值电压	vЖЕ (th)	icАуысу=160mA,VлыАуысу=VГЭ,АуысуtvjАуысу=25°С		4.5	Ауысу	6.5	v
GateАуысуайыппұлАуысу极电荷	qg	icАуысу=650A,VлыАуысу= 2800В,АуысуvГЭАуысу=-15ВАуысу…Ауысу15В		Ауысу	5.4	Ауысу	μC
Кіріс сыйымдылығыАуысу输入电容	cлар	Ауысу Ауысу vлыАуысу=25V,VГЭАуысу=0В,Ауысуf=1MHz,TvjАуысу=25°С		Ауысу	71.4	Ауысу	Ауысу Ауысу Ауысу НФ
Шығарылымдық сыйымдылықАуысушығыс қуаттылығы	cлық			Ауысу	4.82	Ауысу
Кері байланыс сыйымдылығыАуысу反向转移电容	cре			Ауысу	1.28	Ауысу
Қосылу кешігуіАуысууақытАуысу开通延迟时间	td(on)	Ауысу Ауысу Ауысу Ауысу vCCАуысу= 2800В, icАуысу=650A, rgАуысу=2.2ОАуысу, vГЭАуысу=±15В, Менσ=280nH, 感性负载 (сезімтал жүктеме)	TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу	420	Ауысу	Ауысу Ауысу н
Қосылу кешігуіАуысууақытАуысу开通延迟时间	td(on)		TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу	528	Ауысу
Күтерілу уақытыАуысукөтерілу уақыты	tr		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу	160	Ауысу
Күтерілу уақытыАуысукөтерілу уақыты	tr		TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу	190	Ауысу
Сөндіру кешігу уақытыАуысу关断延迟时间	td(Ашылған)		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу	2100	Ауысу	Ауысу Ауысу н
Сөндіру кешігу уақытыАуысу关断延迟时间	td(Ашылған)		TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу	2970	Ауысу
Күз мезгіліАуысутөмендеу уақыты	tf		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу	1600	Ауысу
Күз мезгіліАуысутөмендеу уақыты	tf		TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу	2760	Ауысу
Қосылу ауысуАуысужоғалту энергиясыАуысу开通损耗能量	ебасталды		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу	1000	Ауысу	МЖ
Қосылу ауысуАуысужоғалту энергиясыАуысу开通损耗能量	ебасталды		TVjАуысу=125Ауысу°C	Ауысу	1600	Ауысу	МЖ
Оқиғаның орнын ауыстыруАуысужоғалту энергиясыАуысуСөндіру жоғалту энергиясы	еАшылған		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу	2000	Ауысу	МЖ
	еАшылған		TVjАуысу=125Ауысу°C	Ауысу	2740	Ауысу	МЖ
Қысқа тұйықталуАуысуағымдыАуысу短路电流	isc	tpsc ≤Ауысу10μs, VГЭАуысу=15В,Ауысуtvj =Ауысу125°C,VCCАуысу=Ауысу3400V		Ауысу	3940	Ауысу	a)

Ауысу

Диодтың сипаттамалық мәндері

Параметр/参数	Символ/符号	Шарттар/条件		минут	түрі	ең көп	бірлік
Алға кернеуАуысу正向电压	vf	ifАуысу=650A	TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу	3.2	Ауысу	v
Алға кернеуАуысу正向电压	vf	ifАуысу=650A	TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу	3.6	Ауысу	v
КеріАуысуҚайта қалпына келтіру тогыАуысуКері қалпына келтіру ток	iрр	Ауысу vCCАуысу= 2800В, icАуысу=650A, rgАуысу=2.2ОАуысу, vГЭАуысу=±15В, Менσ=280nH, 感性负载 (сезімтал жүктеме)	TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу	1200	Ауысу	a)
	iрр		TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу	1300	Ауысу	a)
Алынған айыппұлАуысу恢复电荷	qрр		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу	450	Ауысу	μC
Алынған айыппұлАуысу恢复电荷	qрр		TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу	550	Ауысу	μC
КеріАуысуқалпына келтіру уақытыАуысу反向恢复时间	tрр		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу	660	Ауысу	н
КеріАуысуқалпына келтіру уақытыАуысу反向恢复时间	tрр		TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу	750	Ауысу	н
КеріАуысуқалпына келтіру энергиясыАуысу反向恢复能量	ерек		TVjАуысу=25Ауысу°C	Ауысу	720	Ауысу	МЖ
КеріАуысуқалпына келтіру энергиясыАуысу反向恢复能量	ерек		TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу	860	Ауысу	МЖ