YMIF250-65, IGBT Модулі. 6500V 250A, CRRC

IGBT Модулі 6500V

YMIF250-65, IGBT Модулі. 6500V 250A, CRRC

IGBT Модулі,6500V 250A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF250-65

кіріспе
сызба

кіріспе

ерекшеліктері

Төмен ауысу шығындары үшін SPT+чип-наборы
Төмен VCEsat
Төмен жүргізу қуаты
Жоғары қуат циклдау үшін AlSiC негізіАуысуқабілеттілігі
AlN субстраты төмен жылуАуысуқарсылық

ҮлгілікАуысуқолдану

Тасымалдаушы жетектер
DC шоппер
Жоғары вольтты инверторлар/конвертерлер

Максималды номиналды мәндер

параметр		Символ	Шарттары		минут	ең көп	бірлік
Жинақтаушы-шығарғышАуысукернеуАуысу	vCES		vГЭ=0В,ТvjАуысу≥ 25°C		Ауысу	6500	v
Бірқалыпты коллектордың тогыАуысу	ic		tcАуысу=80°C		Ауысу	250	a)
Жинақтың ең жоғары тогыАуысу	iсм		tp=1ms,Tc=80°C		Ауысу	500	a)
Қақпа-эмиттер кернеуіАуысу	vГЭС		Ауысу		-20	20	v
жалпы қуатыАуысушашырауАуысу	ptot		tc=25°C,perswitch(IGBT)		Ауысу	3200	w
DC алға ағымАуысу	if		Ауысу		Ауысу	250	a)
Шың алғаАуысуағымдыАуысу	iҚРМ		tp=1ms		Ауысу	500	a)
IGBT қысқаАуысуконтурАуысуSOAАуысу	Ауысу tпск		vCCАуысу=4400V,VCEMCHIPАуысу≤ 6500VАуысуvГЭ≤Ауысу15V,Tvj≤Ауысу125°С		Ауысу	Ауысу 10	Ауысу μs
Изоляция кернеуіАуысу	vтұтастығы		1 минут, f=50 Гц		Ауысу	10200	v
Байланыс температурасыАуысу		tvj	Ауысу		Ауысу	125	°C
Бүйірдегі жұмыс температурасыАуысу		tvj(op)	Ауысу		-50	125	°C
Корпус температурасыАуысу		tc	Ауысу		-50	125	°C
сақтау температурасыАуысу		tЖТГ	Ауысу		-50	125	°C
Орнату моменттеріАуысу		мс	Ауысу		4	6	нм
		мT1		Ауысу	8	10

Ауысу

Ауысу

IGBT сипаттамалық мәндері

параметр	Символ	Шарттары		минут		түрі	ең көп	бірлік
ЖинақтаушыАуысу(- эмиттер)Ауысубұзылу кернеуі	Ауысу V(BR) CES	VGE=0V,IC=3mA,АуысуTvj=25°C		Ауысу 6500		Ауысу	Ауысу	Ауысу v
Жинақтаушы-шығарғышАуысуСатурацияАуысукернеу	VCEsat	IC=250A,VАуысуGE=15V	Tvj=Ауысу25°C	2.6		3	3.4	v
			Tvj=125°C	3.4		4	4.6	v
ЖинақтаушыАуысутоқтату тогыАуысу	ICES	VCE=6500V,VGE=0V	Tvj=Ауысу25°C	Ауысу		Ауысу	4	ана
			Tvj=125°C	Ауысу		Ауысу	50	ана
GateАуысуағындылық ағыныАуысу	ИГЭС	VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C		-500		Ауысу	500	н
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу	vАуысуЖЕ (th)	IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C		5.4		6.2	7	v
Қалпына келтіру кешіктіру уақытыАуысу	td(on)	Ауысу Ауысу VCC=3600V,АуысуIC=250A, RGon=6.8ΩАуысу, RGoff=33ΩАуысу, CGE=100nF VGE=±15V, Ls=280nH, 感性负载 (сезімтал жүктеме)	TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу		1	Ауысу	Ауысу Ауысу μАуысуs
			TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу		0.94	Ауысу
КөтерілуАуысууақытАуысу	tr		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу		0.76	Ауысу
			TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу		0.81	Ауысу
Сөндіру кешігу уақытыАуысу	td(оң)		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу		3.9	Ауысу	Ауысу Ауысу μАуысуs
			TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу		4.2	Ауысу
Күз мезгіліАуысу	tf		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу		2.2	Ауысу
			TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу		2.8	Ауысу
Қосылу ауысуАуысужоғалту энергиясыАуысу	Эон		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу		3081	Ауысу	МЖ
			TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу		3900	Ауысу
Оқиғаның орнын ауыстыруАуысужоғалту энергиясыАуысу	еАшылған		TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C	Ауысу		2100	Ауысу	МЖ
			TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C	Ауысу		1236	Ауысу
қысқаАуысусхема тогыАуысу	Ауысу isc	tpscАуысу≤Ауысу10 мкмАуысуs, VАуысуГЭ =15V, Tvj=125℃,VАуысуCCАуысу= 4400V	Ауысу TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C		Ауысу	Ауысу 940	Ауысу	Ауысу a)