IGBT Модулі 1700V

(Сынып)

 (Параметр)

(сынау шарттары)

 (мән)

(бұлақ)

ККЕЖ

Жинағыш-эмиттер кернеуі

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

v

V GES

Қақпа-эмиттер кернеуі

Ауысу

± 20

v

I С

Жинақтаушы-эмиттер тогы

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

a)

I C ((PK)

Жинақтың ең жоғары тогы

tp = 1ms

4800

a)

P макс

ең көп.Ауысутранзистордың қуат жоғалтуы

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

кв

I 2t

 Диод I2t

VR =0V, t P  = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Ауысу

Визоль

Оқшаулау кернеуі модуль бойынша

 ( Негізгі пластинаға ортақ терминалдар),

AC RMS,1 мин, 50Hz

Ауысу

4000

Ауысу

v

Q PD

Бөлшек төгілу модуль бойынша

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

тк

Tcase = 25 °C  T case  = 25°C егер басқаша айтылмаса

(Сынып)

 (Параметр)

(сынау шарттары)

(мин)

 (Тип)

 (Макс)

 (Бірлік)

Ауысу

Ауысу

I CES

Ауысу

Ауысу

Коллектордың тоқтату ағымы

V GE = 0V, VCE  = VCES

Ауысу

Ауысу

1

ана

V GE = 0V, VCE  = VCES , T case =125 °C

Ауысу

Ауысу

40

ана

V GE = 0V, VCE  = VCES , T case =150 °C

Ауысу

Ауысу

60

ана

I GES

Қақпаның ағып кету тогы

V GE = ±20V, VCE  = 0V

Ауысу

Ауысу

1

μA

V GE (TH)

Қақпаның шекті кернеуі

I C = 80mA, V GE  = VCE

5.0

6.0

7.0

v

Ауысу

Ауысу

VCE (sat)(*1)

Ауысу

 Коллектор-эмиттердің қанығуы

кернеу

VGE =15V, IC = 2400A

Ауысу

1.75

Ауысу

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

Ауысу

1.95

Ауысу

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

Ауысу

2.05

Ауысу

v

I F

Диоданың алға ағымы

dc

Ауысу

2400

Ауысу

a)

I FRM

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы

t P = 1ms

Ауысу

4800

Ауысу

a)

Ауысу

Ауысу

VF(*1)

Ауысу

Ауысу

Диоданың алға кернеуі

IF = 2400A

Ауысу

1.65

Ауысу

v

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

Ауысу

1.75

Ауысу

v

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

Ауысу

1.75

Ауысу

v

Қалғандары

Кіріс сыйымдылығы

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

Ауысу

400

Ауысу

НФ

Бас басқарма

 Қақпақ заряд

±15V

Ауысу

19

Ауысу

μC

Крес

Кері байланыс сыйымдылығы

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

Ауысу

3

Ауысу

НФ

L M

Модуль индуктивтілігі

Ауысу

Ауысу

10

Ауысу

nH

R INT

Ішкі транзистор кедергісі

Ауысу

Ауысу

110

Ауысу

μΩ

Ауысу

Ауысу

I SC

Ауысу

Қысқа тұйықталу ағымы, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

Ауысу

Ауысу

Ауысу

12000

Ауысу

Ауысу

Ауысу

a)

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

Ауысу

2320

Ауысу

н

t f

Күз мезгілі

Ауысу

500

Ауысу

н

E OFF

Өшіру энергиясының жоғалуы

Ауысу

1050

Ауысу

МЖ

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

450

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

210

Ауысу

н

Эон

Қосу энергиясының жоғалуы

Ауысу

410

Ауысу

МЖ

Qrr

Диодтың кері қалпына келу заряды

Ауысу

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

Ауысу

480

Ауысу

μC

I rr

Диодтың кері қалпына келу тогы

Ауысу

1000

Ауысу

a)

Ерек

Диодтың кері қалпына келу энергиясы

Ауысу

320

Ауысу

МЖ

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

Ауысу

2340

Ауысу

н

t f

Күз мезгілі

Ауысу

510

Ауысу

н

E OFF

Өшіру энергиясының жоғалуы

Ауысу

1320

Ауысу

МЖ

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

450

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

220

Ауысу

н

Эон

Қосу энергиясының жоғалуы

Ауысу

660

Ауысу

МЖ

Qrr

Диодтың кері қалпына келу заряды

Ауысу

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

Ауысу

750

Ауысу

μC

I rr

Диодтың кері қалпына келу тогы

Ауысу

1200

Ауысу

a)

Ерек

Диодтың кері қалпына келу энергиясы

Ауысу

550

Ауысу

МЖ

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

I C = 2400A

VCE = 900V

L S  ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

Ауысу

2340

Ауысу

н

t f

Күз мезгілі

Ауысу

510

Ауысу

н

E OFF

Өшіру энергиясының жоғалуы

Ауысу

1400

Ауысу

МЖ

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

450

Ауысу

н

tr

 Көтерілу уақыты

Ауысу

220

Ауысу

н

Эон

Қосу энергиясының жоғалуы

Ауысу

820

Ауысу

МЖ

Qrr

Диодтың кері қалпына келу заряды

Ауысу

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

Ауысу

820

Ауысу

μC

I rr

Диодтың кері қалпына келу тогы

Ауысу

1250

Ауысу

a)

Ерек

Диодтың кері қалпына келу энергиясы

Ауысу

620

Ауысу

МЖ