YMIF1000-33,IGBT Модулі,3300V 1000A | IGBT Модулі 3300V |

IGBT Модулі 3300V

YMIF1000-33,IGBT модулі,3300В 1000А

IGBT Модулі，3300V 1000A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF1000-33

кіріспе
сызба

кіріспе

кілтіАуысупараметрлері

vCES	3300Ауысуv
vлы(тұрып)	(тип)АуысуАуысу2.40Ауысуv
ic	(макс.)Ауысу1000Ауысуa)
iC(rm)	(макс.)АуысуАуысу2000Ауысуa)

Ауысу

типтік қолданбалар

Тасымалдаушы жетектер
Моторды басқарушы
АқылдыАуысуЖелі
жоғарыАуысусенімділігіАуысуинвертор

типтік қолданбалар

Тасымалдаушы жетектер
қозғалтқышы
Моторды басқарушы
Ақылды Тор
Жоғары Сенімді Инвертор

Абсолютті Максималды Рейтинг

(Сынып)	(Параметр)	(сынау шарттары)	(құндылық)	(Бірлік)
ККЕЖ	Жинағыш-эмиттер кернеуі	VGE = 0V, TC= 25 °C	3300	v
VGES	Қақпа-эмиттер кернеуі	TC= 25 °C	± 20	v
I С	Жинақтаушы-эмиттер тогы	TC = 95 °C	1000	a)
IC(PK)	Жинақтың ең жоғары тогы	t P= 1ms	2000	a)
P макс	Транзистордың қуаттылық шашырауы	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	10.4	кв
I 2t	Диод I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	kA2s
Визоль	Оқшаулау кернеуі модуль бойынша	Біріккен терминалдар негіздік тақтаға), AC RMS,1 мин, 50Hz,TC= 25 °C	6000	v
Q PD	Бөлшек төгілу модуль бойынша	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	тк

Ауысу

Электрлік Характеристикасы

(Сынып)		(Параметр)	(сынау шарттары)	(мин)	(тип)	(макс.)	(бұлақ)
Ауысу I CES		Ауысу Ауысу Коллектордың тоқтату ағымы	VGE = 0V,VCE = VCES	Ауысу	Ауысу	1	ана
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C	Ауысу	Ауысу	60	ана
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C	Ауысу	Ауысу	100	ана
I GES		Ауысу Қақпаның ағып кету тогы	VGE = ±20V, VCE = 0V	Ауысу	Ауысу	1	μA
VGE (TH)		Қақпаның шекті кернеуі	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	v
Ауысу VCE	Ауысу (*1) (sat)	Коллектор-эмиттер қанықтыру кернеу	VGE= 15V, I C= 1000A	Ауысу	2.40	2.90	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C	Ауысу	2.95	3.40	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C	Ауысу	3.10	3.60	v
I F		Диоданың алға ағымы	dc	Ауысу	1000	Ауысу	a)
I FRM		Ауысу Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы	t P = 1ms	Ауысу	2000	Ауысу	a)
Ауысу VF(*1)		Ауысу Ауысу Диоданың алға кернеуі	I F= 1000A	Ауысу	2.10	2.60	v
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C	Ауысу	2.25	2.70	v
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C	Ауысу	2.25	2.70	v
C ies		Ауысу Кіріс сыйымдылығы	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz	Ауысу	170	Ауысу	НФ
Q g		Қақпалық төлем	±15V	Ауысу	17	Ауысу	μC
C res		Кері байланыс сыйымдылығы	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz	Ауысу	4	Ауысу	НФ
L M		Ауысу Модуль индуктивтілігі	Ауысу	Ауысу	15	Ауысу	nH
R INT		Ішкі транзистор кедергісі	Ауысу	Ауысу	165	Ауысу	μΩ
Ауысу I SC		Қысқа тұйықталу ағымы, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9	Ауысу	Ауысу 3900	Ауысу	Ауысу a)

Ауысу

Тд (оң)	Сөндіру кешігу уақыты	Ауысу I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	Ауысу	1800	Ауысу	н
t f	Күту уақыты		Ауысу	530	Ауысу	н
E OFF	Өшіру энергиясының жоғалуы		Ауысу	1600	Ауысу	МЖ
Тд ((олтырау)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты		Ауысу	680	Ауысу	н
t r	Күтерілу уақыты		Ауысу	320	Ауысу	н
Эон	Қосу энергиясының жоғалуы		Ауысу	1240	Ауысу	МЖ
Q rr	Диодтың кері қалпына келу заряды	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	Ауысу	780	Ауысу	μC
I rr	Диодтың кері қалпына келу тогы		Ауысу	810	Ауысу	a)
E rec	Диодтың кері қалпына келу энергиясы		Ауысу	980	Ауысу	МЖ
Тд (оң)	Сөндіру кешігу уақыты	Ауысу I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	Ауысу	1940	Ауысу	н
t f	Күз мезгілі		Ауысу	580	Ауысу	н
E OFF	Өшіру энергиясының жоғалуы		Ауысу	1950	Ауысу	МЖ
Тд ((олтырау)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты		Ауысу	660	Ауысу	н
t r	Күтерілу уақыты		Ауысу	340	Ауысу	н
Эон	Қосу энергиясының жоғалуы		Ауысу	1600	Ауысу	МЖ
Q rr	Диодтың кері қалпына келу заряды	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	Ауысу	1200	Ауысу	μC
I rr	Диодтың кері қалпына келу тогы	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	Ауысу	930	Ауысу	a)