YMIBD800-17,TIM800DDM17-PSA011,IGBT модулі, 1700В 800А

IGBT Модулі 1700V

YMIBD800-17,TIM800DDM17-PSA011,IGBT модулі, 1700В 800А

IGBT Модулі，1700V 800A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIBD800-17 / TIM800DDM17-PSA011

кіріспе
сызба

кіріспе

кілтіАуысупараметрлері

vCES	1700		v
vлы(тұрып)	(тип)	2.30	v
ic	(макс.)	800	a)
iC ((RM)	(макс.)	1600	a)

Ауысу

ҮлгілікАуысуқосымшалар

Тасымалдаушы жетектер
Моторды басқарушы
ЖелАуысуқуаттылығы
жоғарыАуысусенімділігіАуысуинвертор

ерекшеліктері

AlSiCАуысунегіз
айнАуысусубстраттар
жоғарыАуысужылуАуысуВелосипедпен жүруАуысуқабілеттілігі
10 мкмsАуысуқысқаАуысуконтурАуысуҚалқаңыздар!
төменАуысуvлы(тұрып)Ауысуқұрылғы
жоғарыАуысуағымдыАуысутығыздығы

Ауысу

АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтинг

(Сынып)	(Параметр)	(сынау шарттары)	(құндылық)	(бұлақ)
ККЕЖ	Жинағыш-эмиттер кернеуі	V GE = 0V, TC= 25◊c	1700	v
V GES	Қақпа-эмиттер кернеуі	ТК= 25◊c	± 20	v
I С	Жинақтаушы-эмиттер тогы	TC = 80◊c	800	a)
I C ((PK)	Жинақтың ең жоғары тогы	t P=1ms	1600	a)
P макс	Транзистордың қуаттылық шашырауы	Tvj = 150◊C, TC = 25◊c	6.94	кв
I 2t	Диод I 2t	VR =0В, t P = 10ms, Tvj = 125◊c	120	kA2s
Ауысу Визоль	Оқшаулау кернеуі модуль бойынша	(Базалық тақтаға ортақ терминалдар), АЖ RMS,1 мин, 50 Гц,TC= 25◊c	4000	v
Q PD	Бөлшек төгілу модуль бойынша	IEC1287. V 1 = 1800В, V2 = 1300В, 50Гц RMS, TC= 25◊c	10	тк

Ауысу

Электрлік Характеристикасы

(Символ)	Ауысу(параметр)	(сынау шарттары)	(минут)	(типті)	(ең көп)	(бірлік)
Ауысу I CES	Коллектордың тоқтату ағымы	V GE = 0V,VCE = VCES	Ауысу	Ауысу	1	ана
Ауысу I CES	Коллектордың тоқтату ағымы	V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C	Ауысу	Ауысу	25	ана
I GES	Қақпаның ағып кету тогы	V GE = ±20V, VCE = 0V	Ауысу	Ауысу	4	μA
V GE (TH)	Қақпаның шекті кернеуі	I C = 40mA, V GE = VCE	5.00	5.70	6.50	v
Ауысу VCE (sat)(*1)	Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі	V GE =15V, I C = 800A	Ауысу	2.30	2.60	v
Ауысу VCE (sat)(*1)	Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі	V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C	Ауысу	2.80	3.10	v
I F	Диоданың алға ағымы	тұрақты токdc	Ауысу	Ауысу	800	a)
I FRM	Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы	t P = 1ms	Ауысу	Ауысу	1600	a)
Ауысу VF(*1)	Диоданың алға кернеуі	I F = 800A	Ауысу	1.70	2.00	v
Ауысу VF(*1)	Диоданың алға кернеуі	I F = 800A, Tvj = 125 ° C	Ауысу	1.80	2.10	v
C ies	Кіріс сыйымдылығы	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz	Ауысу	60	Ауысу	НФ
Q g	Қақпалық төлем	±15V	Ауысу	9	Ауысу	μC
C res	Кері байланыс сыйымдылығы	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz	Ауысу	Ауысу - Мен...	Ауысу	НФ
L M	Модуль индуктивтілігі	Ауысу	Ауысу	20	Ауысу	nH
R INT	Ішкі транзистор кедергісі	Ауысу	Ауысу	270	Ауысу	μΩ
Ауысу Ауысу I SC	Қысқа тұйықталу ағымы, ISC	Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9	Ауысу	Ауысу Ауысу 3700	Ауысу	Ауысу Ауысу a)
Тд (оң)	Сөндіру кешігу уақыты	Ауысу Ауысу Ауысу I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω	Ауысу	890	Ауысу	н
t f	Күз мезгілі		Ауысу	220	Ауысу	н
E OFF	Өшіру энергиясының жоғалуы		Ауысу	220	Ауысу	МЖ
Тд ((олтырау)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты		Ауысу	320	Ауысу	н
t r	Күтерілу уақыты		Ауысу	190	Ауысу	н
Эон	Қосу энергиясының жоғалуы		Ауысу	160	Ауысу	МЖ
Q rr	Диодтың кері қалпына келу заряды	Ауысу I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us	Ауысу	260	Ауысу	μC
I rr	Диодтың кері қалпына келу тогы		Ауысу	510	Ауысу	a)
E rec	Диодтың кері қалпына келу энергиясы		Ауысу	180	Ауысу	МЖ
Тд (оң)	Сөндіру кешігу уақыты	Ауысу Ауысу Ауысу I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω	Ауысу	980	Ауысу	н
t f	Күз мезгілі		Ауысу	280	Ауысу	н
E OFF	Өшіру энергиясының жоғалуы		Ауысу	290	Ауысу	МЖ
Тд ((олтырау)	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты		Ауысу	400	Ауысу	н
t r	Күтерілу уақыты		Ауысу	250	Ауысу	н
Эон	Қосу энергиясының жоғалуы		Ауысу	230	Ауысу	МЖ
Q rr	Диодтың кері қалпына келу заряды	Ауысу I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us	Ауысу	420	Ауысу	μC
I rr	Диодтың кері қалпына келу тогы		Ауысу	580	Ауысу	a)
E rec	Диодтың кері қалпына келу энергиясы		Ауысу	280	Ауысу	МЖ