IGBT Модуль，3300V 500A
Кілттік Параметрлер
ККЕЖ | 3300Ауысуv |
VCE (sat) | (тип)Ауысу 2.40Ауысуv |
i | (макс.)Ауысу500Ауысуa) |
IC ((RM) | (макс.)Ауысу1000Ауысуa) |
Ауысу
типтік қолданбалар
ерекшеліктері
Ауысу
АбсолюттіАуысуең көпАуысуRating
(Сынып) | (Параметр) | (сынау шарттары) | (құндылық) | (бұлақ) |
ККЕЖ | Жинағыш-эмиттер кернеуі | V GE = 0V,Tvj = 25°C | 3300 | v |
V GES | Gate-emitter кернеуі | Ауысу | ± 20 | v |
I С | Жинақтаушы-эмиттер тогы | T case = 100 °C, Tvj = 150 °C | 500 | a) |
I C ((PK) | Жинақтың ең жоғары тогы | 1ms, T case = 140 °C | 1000 | a) |
P макс | Транзистордың қуаттылық шашырауы | Tvj = 150°C, T case = 25 °C | 5.2 | кв |
I 2t | Диод I t | VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C | 80 | kA2s |
Визоль | Оқшаулау кернеуі модуль бойынша | Біріккен терминалдар негіздік тақтаға), AC RMS,1 мин, 50Hz | 6000 | v |
Q PD | Бөлшек төгілу модуль бойынша | IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C | 10 | тк |
Ауысу
Электртехникалық сипаттамалары
tжағдайАуысу= 25 °cАуысуtАуысужағдайАуысу= 25°cАуысуегерАуысукөрсетілгенАуысубасқа жағдайда | ||||||
(Символ) | (Параметр) | (сынау шарттары) | (минут) | (типті) | (ең көп) | (бірлік) |
Ауысу Ауысу iАуысуCES | Коллектордың тоқтату ағымы | vАуысуГЭАуысу= 0V,АуысуvлыАуысу=АуысуvCES | Ауысу | Ауысу | 1 | ана |
vАуысуГЭАуысу= 0V,АуысуvлыАуысу=АуысуvCESАуысу,АуысуtАуысужағдайАуысу=125 °C | Ауысу | Ауысу | 30 | ана | ||
vАуысуГЭАуысу= 0V,АуысуvлыАуысу=vCESАуысу,АуысуtАуысужағдайАуысу=150 °C | Ауысу | Ауысу | 50 | ана | ||
iАуысуГЭС | Gate leakageАуысуағымды | vАуысуГЭАуысу= ±20V,АуысуvлыАуысу= 0V | Ауысу | Ауысу | 1 | μA |
vАуысуГЭАуысу(TH) | Қақпаның шекті кернеуі | iАуысуcАуысу= 40ана,АуысуvАуысуГЭАуысу=vлы | 5.50 | 6.10 | 7.00 | v |
Ауысу Ауысу vлыАуысу(тұрып)(*1) | Коллектор-эмиттер қанықтыруАуысукернеу | vАуысуГЭАуысу=15В,iАуысуC =Ауысу500а | Ауысу | 2.40 | 2.90 | v |
vАуысуГЭАуысу=15В,iАуысуcАуысу= 500A,tvjАуысу=Ауысу125Ауысу°C | Ауысу | 2.95 | 3.40 | v | ||
vАуысуГЭАуысу=15В,iАуысуcАуысу= 500A,tvjАуысу=Ауысу150Ауысу°C | Ауысу | 3.10 | 3.60 | v | ||
iАуысуf | Диоданың алға ағымы | dc | Ауысу | 500 | Ауысу | a) |
iАуысуҚРМ | Диод максималды алғаАуысуағымды | tАуысуpАуысу=Ауысу1 мс | Ауысу | 1000 | Ауысу | a) |
Ауысу Ауысу vf(*1) | Ауысу Диоданың алға кернеуі | iАуысуfАуысу=Ауысу500а | Ауысу | 2.10 | 2.60 | v |
iАуысуfАуысу= 500A,АуысуtvjАуысу=Ауысу125 °С | Ауысу | 2.25 | 2.70 | v | ||
iАуысуfАуысу= 500A,АуысуtvjАуысу=Ауысу150 °С | Ауысу | 2.25 | 2.70 | v | ||
cлар | Кіріс сыйымдылығы | vлыАуысу= 25V,АуысуvАуысуГЭАуысу= 0V,fАуысу=Ауысу1мхз | Ауысу | 90 | Ауысу | НФ |
qg | Қақпалық төлем | ±15V | Ауысу | 9 | Ауысу | μC |
cре | Кері трансфер капацитанс | vлыАуысу= 25V,АуысуvАуысуГЭАуысу= 0V,fАуысу=Ауысу1мхз | Ауысу | 2 | Ауысу | НФ |
МенАуысум | МодульАуысуиндуктивтілік | Ауысу | Ауысу | 25 | Ауысу | nH |
rАуысуint | Ішкі транзистор кедергісі | Ауысу | Ауысу | 310 | Ауысу | μΩ |
Ауысу Ауысу iАуысуsc | Қысқа тұйықталуАуысуток,Ауысуisc | tvjАуысу=Ауысу150°C,АуысуvАуысуCCАуысу= 2500V,АуысуvАуысуГЭАуысу≤15В,tpАуысу≤10μs, vлы(ең көп)Ауысу=АуысуvCESАуысу–МенАуысу(*2)Ауысу×ды/dt, IECАуысу6074-9 | Ауысу | Ауысу Ауысу 1800 | Ауысу | Ауысу Ауысу a) |
Ауысу
Тд (оң) | Сөндіру кешігу уақыты | Ауысу Ауысу I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω | Ауысу | 1720 | Ауысу | н |
t f | Күз мезгілі | Ауысу | 520 | Ауысу | н | |
E OFF | Өшіру энергиясының жоғалуы | Ауысу | 780 | Ауысу | МЖ | |
Тд ((олтырау) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу | 650 | Ауысу | н | |
tr | Күтерілу уақыты | Ауысу | 260 | Ауысу | н | |
Эон | Қосу энергиясының жоғалуы | Ауысу | 730 | Ауысу | МЖ | |
Qrr | Диодтың кері қалпына келу заряды | Ауысу I F =500A VCE =1800V diF/dt =2100A/us | Ауысу | 390 | Ауысу | μC |
I rr | Диодтың кері қалпына келу тогы | Ауысу | 420 | Ауысу | a) | |
Ерек | Диодтың кері қалпына келу энергиясы | Ауысу | 480 | Ауысу | МЖ |
Ауысу
(Сынып) | (Параметр) | (сынау шарттары) | (Мин) | (тип) | (Макс) | (бұлақ) |
Тд (оң) | Сөндіру кешігу уақыты | Ауысу Ауысу I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω | Ауысу | 1860 | Ауысу | н |
t f | Күз мезгілі | Ауысу | 550 | Ауысу | н | |
E OFF | Өшіру энергиясының жоғалуы | Ауысу | 900 | Ауысу | МЖ | |
Тд ((олтырау) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу | 630 | Ауысу | н | |
tr | көтерілу уақытыКүтерілу уақыты | Ауысу | 280 | Ауысу | н | |
Эон | Қосу энергиясының жоғалуы | Ауысу | 880 | Ауысу | МЖ | |
Qrr | Диодтың кері қалпына келу заряды | Ауысу I F =500A VCE =1800V diF/dt =2100A/us | Ауысу | 620 | Ауысу | μC |
I rr | Диодтың кері қалпына келу тогы | Ауысу | 460 | Ауысу | a) | |
Ерек | Диодтың кері қалпына келу энергиясы | Ауысу | 760 | Ауысу | МЖ |
Ауысу
(Сынып) | (Параметр) | (сынау шарттары) | (Мин) | (Тип) | (Макс) | (бұлақ) |
Тд (оң) | Сөндіру кешігу уақыты | Ауысу Ауысу I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω | Ауысу | 1920 | Ауысу | н |
t f | Күту уақыты | Ауысу | 560 | Ауысу | н | |
E OFF | Өшіру энергиясының жоғалуы | Ауысу | 1020 | Ауысу | МЖ | |
Тд ((олтырау) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты | Ауысу | 620 | Ауысу | н | |
tr | Көтерілу уақыты | Ауысу | 280 | Ауысу | н | |
Эон | Қосу энергиясының жоғалуы | Ауысу | 930 | Ауысу | МЖ | |
Qrr | Диодтың кері қалпына келу заряды | Ауысу I F =500A VCE =1800V diF/dt =2100A/us | Ауысу | 720 | Ауысу | μC |
I rr | Диодтың кері қалпына келу тогы | Ауысу | 490 | Ауысу | a) | |
Ерек | Диодтың кері қалпына келу энергиясы | Ауысу | 900 | Ауысу | МЖ |
Ауысу
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
