IGBT Модулі 1700V

Символ

Сипаттама

V қайың

Блоктар

ККЕЖ

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

VGES

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор тогы @ TC=25°C

Коллектор тогы @ TC=80℃

5200

А

3600

ICM(1)

Пульсациялық Коллектор токы tp= 1ms

7200

А

IF

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

3600

А

ifm

Диодтың максималды алға қарай ағымы @ TC=80℃

7200

А

ДҚ

Максималды энергия толтыруы @ Tj=175℃

20

кВт

Тж

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

ТСТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

VISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

4000

V

Орнату

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

1.8-ден 2.1-ге

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8.0-ден 10-ға

Н.М

Торк

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V(BR) CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

Tj=25°C

1700

V

ICES

Коллектордың тоқтату ағымы

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mА

ИГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

400

nA

VGE (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

IC=145mA, VCE=VGE, Tj=25°C

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A, VGE=15V, Tj=125°C

2.40

2.85

Бас басқарма

Қақпалық төлем

VGE=-15…+15V

42.0

μC

RGint

Ішкі қақпа кедергісі

Tj=25°C

0.4

Ω

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15В,Tj=25°C

730

н

tr

Күтерілу уақыты

205

н

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

1510

н

tf

Күз мезгілі

185

н

Эон

Қосылу қосу шығыны

498

МЖ

Еоф

Ашылғанда ауысу шығыны

1055

МЖ

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

785

н

tr

Күтерілу уақыты

225

н

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

1800

н

tf

Күз мезгілі

325

н

Эон

Қосылу қосу шығыны

746

МЖ

Еоф

Ашылғанда ауысу шығыны

1451

МЖ

Қалғандары

Кіріс сыйымдылығы

VCE=25В,f=1Мхц,

VGE=0V

317

НФ

Коэ

Шығарылымдық сыйымдылық

13.2

НФ

Крес

Кері ауыстыру

Қуаттылық

10.5

НФ

ISC

SC деректері

tsc≤10μs,VGE=15V,

Tj=125°C,VCC=1000V,VCEM ≤1700V

14000

А

LCE

Айналадағы индуктивтілік

10

nH

RCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.12

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =3600A

t ж =25 °C

1.80

2.20

V

t ж =125 °C

1.90

2.30

Q R

Алынған айыппұл

I F =3600A,

V R = 900В,

R Қон =0,4Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

836

μC

t ж =125 °C

1451

I RM

Қайта қалпына келтіру Жүк

t ж =25 °C

2800

А

t ж =125 °C

3300

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

590

МЖ

t ж =125 °C

1051