IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD2400SGT120C4S

Блоктар

VCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

VГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IЦ

Коллектор токы @tЦ=25°C

@ ТЦ= 100°C

3800

2400

А

ICM

Импульсны коллектор токы tp= 1мс

4800

А

IF

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

2400

А

IFm

Діод максималды жауапкерші токы tp=1 мс

4800

А

pD

Максималды қуаттылықж= 175°C

12.9

кВт

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

tЖТГ

Сақтау температурасыДиапазон

-40-дан +125-ге дейін

°C

VISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1Минуты

3400

V

Орнату Торк

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

1.8 дейін 2.1

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-ден 10

Н.М

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Салмақ

салмағы Модуль

2300

g

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tж=25°C

1200

V

ICES

Жинақтаушы Жібек-Ашылған

Жүк

VCE=VCES,VГЭ=0В,tж=25°C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

VГЭ=VГЭС,VCE=0В, tж=25°C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

VГЭ(th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IЦ=96mА,VCE=VГЭ, tж=25°C

5.0

5.8

6.5

V

V(Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IЦ= 2400А,ВГЭ=15В, tж=25°C

1.70

2.15

V

IЦ= 2400А,ВГЭ=15В, tж=125°C

2.00

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

tD(ҚОСУЛЫ)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC= 600В,IЦ=2400А, RҚон= 1,2Ω,

RГофф=0.3Ω,

VГЭ=±15В,Тж=25°C

600

н

tR

Күтерілу уақыты

215

н

tD(Ашылған)

Бұғаттау Кешіру уақыты

810

н

tF

Күз мезгілі

145

н

EҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

/

МЖ

EАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

/

МЖ

tD(ҚОСУЛЫ)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC= 600В,IЦ=2400А, RҚон= 1,2Ω,

RГофф=0.3Ω,

VГЭ=±15В,Тж= 125°C

695

н

tR

Күтерілу уақыты

235

н

tD(Ашылған)

Бұғаттау Кешіру уақыты

970

н

tF

Күз мезгілі

182

н

EҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

488

МЖ

EАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

382

МЖ

Цлар

Кіріс сыйымдылығы

VCE=25В,f=1Мхц,

VГЭ=0В

173

НФ

Цлық

Шығарылымдық сыйымдылық

9.05

НФ

Цре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

7.85

НФ

ISC

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15 V,

tж=125°C,VCC= 900В, VКЕМ≤ 1200В

9600

А

Qg

Қақпалық төлем

VCC= 600В,IЦ=2400А, VГЭ=-15 ﹍+15В

23.0

μC

RГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

0.42

Ω

LCE

Айналадағы индуктивтілік

10

nH

RCC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.12

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

VF

Алға қарай диод

Кернеу

IF=2400А

VГЭ=0В

tж=25°C

1.65

2.05

V

tж=125°C

1.65

QR

Қайта қалпына келтірілген

заряд

IF=2400А,

VR=600В,

RҚон=0.3Ω,

VГЭ=-15В

tж=25°C

240

μC

tж=125°C

460

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tж=25°C

1650

А

tж=125°C

2150

Eрек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tж=25°C

/

МЖ

tж=125°C

208

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

RθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

11.6

K/kW

RθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

19.7

K/kW

RθКС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік)

4

K/kW