GD900HFA120C6S,IGBT модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =90 O Ц

900

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1800

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

3409

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

900

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1800

А

I FSM

Алға серпін беретін ток t p =10ms @ t ж =25 O Ц @ Т ж =150 O Ц

4100

3000

А

I 2t

I 2t-мәні,t p =10мс @ T ж =25 O Ц

@ Т ж =150 O Ц

84000

45000

А 2с

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =900A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.40

1.85

V

I Ц =900A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.60

I Ц =900A,V ГЭ =15В, t ж =175 O Ц

1.65

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 24,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

51.5

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.36

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

13.6

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =900A, R g =0.51Ω, L с =40nH, V ГЭ =-8V/+15V,

t ж =25 O Ц

330

н

t R

Күтерілу уақыты

140

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

842

н

t F

Күз мезгілі

84

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

144

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

87.8

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =900A, R g =0.51Ω, L с =40nH, V ГЭ =-8V/+15V,

t ж =125 O Ц

373

н

t R

Күтерілу уақыты

155

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

915

н

t F

Күз мезгілі

135

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

186

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

104

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =900A, R g =0.51Ω, L с =40nH, V ГЭ =-8V/+15V,

t ж =175 O Ц

390

н

t R

Күтерілу уақыты

172

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

950

н

t F

Күз мезгілі

162

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

209

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

114

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤8μs,V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

3200

А

t p ≤6μs,V ГЭ =15В,

t ж =175 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

3000

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.55

2.00

V

I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

1.65

I F =900A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 75O Ц

1.55

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V ГЭ =-8V, L с =40 nH ,t ж =25 O Ц

91.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

441

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

26.3

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V ГЭ =-8V, L с =40 nH ,t ж =125 O Ц

141

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

493

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

42.5

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V ГЭ =-8V, L с =40 nH ,t ж =175 O Ц

174

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

536

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

52.4

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.80

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.044

0.076

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.028

0.049

0.009

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

350

g