GD1200SGT120A3S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

GD1200SGT120A3S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ t Ц =25 ℃

@ Т Ц =80 ℃

2100

1200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

2400

А

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

1200

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

2400

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 1 75℃

7.61

кВт

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

℃

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

℃

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

Орнату Торк

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

1.8 дейін 2.1

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-ден 10

Н.М

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 ℃

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 ℃

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 ℃

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =48 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 1200A,V ГЭ =15В, t ж =25 ℃

1.70

2.15

V

I Ц = 1200A,V ГЭ =15В, t ж =125 ℃

2.00

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =1200A,

R Қон =1.8Ω, R Гофф =0.62Ω, V ГЭ =±15В,Т ж =25 ℃

550

н

t R

Күтерілу уақыты

230

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

830

н

t F

Күз мезгілі

160

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

/

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

/

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц = 1200А,

R Қон = 1.8Ω,R Гофф =0.62Ω, V ГЭ =±15В,Т ж =125 ℃

650

н

t R

Күтерілу уақыты

240

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

970

н

t F

Күз мезгілі

190

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

246

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

189

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

85.5

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

4.48

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

3.87

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =125 °C,

V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

4800

А

R Гинт

Ішкі қақпа

деңгейде

1.9

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R CC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.10

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 1200A

t ж =25 ℃

1.65

2.05

V

t ж =125 ℃

1.65

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

I F = 1200А,

V R =600В,

R Қон =0.6Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 ℃

112

μC

t ж =125 ℃

224

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 ℃

850

А

t ж =125 ℃

1070

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 ℃

48.0

МЖ

t ж =125 ℃

96.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

19.7

K/kW

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

31.3

K/kW

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

8

K/kW

Салмақ

Салмақ Модуль

1050

g