IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD1200SGT120A3S

Блоктар

VCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

VГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IЦ

Коллектор токы @tЦ=25°C

@ ТЦ=80°C

2100

1200

А

ICM

Импульсны коллектор токы tp= 1мс

2400

А

IF

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

1200

А

IFm

Діод максималды жауапкерші токы tp=1 мс

2400

А

pD

Максималды қуаттылықж= 175°C

7.61

кВт

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tЖТГ

Сақтау температурасыДиапазон

-40-дан +125-ге дейін

°C

VISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1Минуты

2500

V

Орнату Торк

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

1.8 дейін 2.1

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-ден 10

Н.М

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tж=25°C

1200

V

ICES

Жинақтаушы Жібек-Ашылған

Жүк

VCE=VCES,VГЭ=0В,tж=25°C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

VГЭ=VГЭС,VCE=0В, tж=25°C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

VГЭ(th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IЦ=48mА,VCE=VГЭ, tж=25°C

5.0

5.8

6.5

V

V(Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IЦ= 1200A,VГЭ=15В, tж=25°C

1.70

2.15

V

IЦ= 1200A,VГЭ=15В, tж=125°C

2.00

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

tD(ҚОСУЛЫ)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC= 600В,IЦ=1200A,

RҚон=1.8Ω,RГофф=0.62Ω,VГЭ=±15В,Тж=25°C

550

н

tR

Күтерілу уақыты

230

н

tD(Ашылған)

Бұғаттау Кешіру уақыты

830

н

tF

Күз мезгілі

160

н

EҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

/

МЖ

EАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

/

МЖ

tD(ҚОСУЛЫ)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

VCC= 600В,IЦ= 1200А,    

RҚон= 1.8Ω,RГофф=0.62Ω,VГЭ=±15В,Тж=125°C

650

н

tR

Күтерілу уақыты

240

н

tD(Ашылған)

Бұғаттау Кешіру уақыты

970

н

tF

Күз мезгілі

190

н

EҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

246

МЖ

EАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

189

МЖ

Цлар

Кіріс сыйымдылығы

VCE=25В,f=1Мхц,

VГЭ=0В

85.5

НФ

Цлық

Шығарылымдық сыйымдылық

4.48

НФ

Цре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

3.87

НФ

ISC

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15 V,

tж=125°C,

VCC= 900В, VКЕМ≤ 1200В

4800

А

RГинт

Ішкі қақпа

деңгейде

1.9

Ω

LCE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

RCC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.10

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

VF

Алға қарай диод

Кернеу

IF= 1200A

tж=25°C

1.65

2.05

V

tж=125°C

1.65

QR

Қайта қалпына келтірілген

заряд

IF= 1200А,

VR=600В,

RҚон=0.6Ω,

VГЭ=-15В

tж=25°C

112

μC

tж=125°C

224

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tж=25°C

850

А

tж=125°C

1070

Eрек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tж=25°C

48.0

МЖ

tж=125°C

96.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

RθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

19.7

K/kW

RθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

31.3

K/kW

RθКС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік)

8

K/kW

Салмақ

Салмақ     Модуль

1050

g