IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =80 O Ц

1350

900

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1800

А

p D

Максималды қуаттылық ж =150 O Ц

7.40

кВт

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

900

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1800

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

2.90

3.35

V

I Ц = 800А,В ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

3.60

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 16,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 O Ц

5.0

6.1

7.0

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

53.1

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

3.40

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

8.56

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =800А, R g = 1.3Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

90

н

t R

Күтерілу уақыты

81

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

500

н

t F

Күз мезгілі

55

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

36.8

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

41.3

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =800А, R g = 1.3Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

115

н

t R

Күтерілу уақыты

92

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

550

н

t F

Күз мезгілі

66

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

52.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

59.4

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =125 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

5200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 800А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.95

2.40

V

I F = 800А,В ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.95

Q R

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =800А,

-di/dt=9500A/μs,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

56

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

550

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

38.7

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =800А,

-di/dt=9500A/μs,V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

148

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

920

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

91.8

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

12

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.19

mΩ

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

16.9

26.2

K/kW

R θ КС

Қаптамадан суға құюға (IGBT бойынша)

Қаптамадан суға құюға (диод бойынша)

19.7

30.6

K/kW

R θ КС

Қаптамадан суға құюға

6.0

K/kW

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Жабықтыру басымдарының Момент, М8 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

1500

g