IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =100 O Ц

1000

600

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

3409

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

600

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 15.0mA,V CE =V ГЭ , T ж =25 O Ц

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.7

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

62.1

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.74

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

4.66

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1.5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

257

н

t R

Күтерілу уақыты

96

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

628

н

t F

Күз мезгілі

103

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

37.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

51.5

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1.5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

268

н

t R

Күтерілу уақыты

107

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

659

н

t F

Күз мезгілі

144

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

53.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

77.3

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1.5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

278

н

t R

Күтерілу уақыты

118

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

680

н

t F

Күз мезгілі

155

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

58.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

82.4

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.65

2.10

V

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.65

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.65

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж =25 O Ц

61.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

280

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

20.9

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж = 125O Ц

114

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

415

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

43.1

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж = 150O Ц

128

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

443

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

50.0

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.18

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.044

0.078

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.016

0.028

0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Жабықтыру басымдарының Момент, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g