IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD600SGL120C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц = 25°C

@ Т Ц = 100°C

950

А

600

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

А

I F

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

600

А

I Fm

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасы жалға алу

1200

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 175°C

3750

W

t SC

Қысқа тұйықталуға қарсы тұру уақыты

10

μs

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

I 2t-құндылығы, диод

V R =0В,t=10ms,T ж =125 °C

74000

А 2с

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

V

Қою моментi

Сигнал терминалы Шраф:M4

1.1 дейін 2.0

Қуат терминалының бұрандасы:M6

2,5 -ге дейін 5.0

Н.М

Орнату Шраф:M6

3.0-ден 5.0

Салмақ

Салмақ туралы Модуль

300

g

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

I Ц =24 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.9

V

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж = 125°C

2.1

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =3Ω,

V ГЭ = ± 15 V, t ж =25 °C

200

н

t R

Күтерілу уақыты

62

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

510

н

t F

Күз мезгілі

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =3Ω,

V ГЭ = ± 15 V, t ж =25 °C

60

н

E ҚОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

39

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

48

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А,

R g =3Ω,V ГЭ = ± 15 V, t ж = 125°C

210

н

t R

Күтерілу уақыты

65

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

600

н

t F

Күз мезгілі

75

н

E ҚОСУЛЫ

Қосылу ауысу

Жоғалту

45

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

60

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В, f=1МГц,

V ГЭ =0В

41.0

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

3.1

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

2.0

НФ

I SC

SC деректері

t с Ц ≤ 10 мс,В ГЭ =15В, t ж =125 °C ,

V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

2600

А

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC + EE ’

Модульдің жетек кедергісі е, Терминалдан чипке

t Ц =25 °C

0.18

м Ω

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =600А

t ж =25 °C

1.8

2.4

V

t ж = 125°C

1.9

2.5

Q R

Диод кері

Алу ақысы

I F =600А,

V R =600В,

di/dt=-6000A/μs, V ГЭ =- 15В

t ж =25 °C

65

μC

t ж = 125°C

100

I RM

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіру Жүк

t ж =25 °C

450

А

t ж = 125°C

510

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

35

МЖ

t ж = 125°C

42

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қалқаға қосылу (IGBT бөлігі, pe) r Модулі)

0.04

°C /W

R θ ЖК

Junction-to-Case (Диод бөлімі, модуль бойынша le)

0.09

°C /W

R θ КС

Қалқадан-суға құюға арналған май (ауыртпалық)

0.035

°C /W