Қысқаша кіріспе
IGBT модулі , STARPOWER компаниясымен өндірілген. 1200V 600A.
Ерекшеліктер
Үлгілік Қолданбалар
Абсолютті Максимум Рейтингтер t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ | Сипаттама | мәні | бірлік |
V CES | Жинағыш-эмиттер кернеуі | 1200 | V |
V ГЭС | Қақпа-эмиттер кернеуі | ±20 | V |
I Ц | Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц @ Т Ц =100 O Ц | 1000 600 | А |
I CM | Импульсны коллектор токы t p =1 мс | 1200 | А |
p D | Максималды қуаттылық ж =175 O Ц | 3409 | W |
Диод
Символ | Сипаттама | мәні | бірлік |
V РРМ | Қайталанатын ең жоғары кері кернеу | 1200 | V |
I F | Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу | 600 | А |
I Fm | Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс | 1200 | А |
Модуль
Символ | Сипаттама | мәні | бірлік |
t jmax | Жоғарғы түйісу температурасы | 175 | O Ц |
t жіп | Жұмыс қиылысының температурасы | -40-дан +150-ге дейін | O Ц |
t ЖТГ | Сақтау температурасы Диапазон | -40-дан +125-ге дейін | O Ц |
V ISO | Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты | 4000 | V |
IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | бірлік |
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі | I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц |
| 1.70 | 2.05 |
V |
I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц |
| 1.95 |
| |||
I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц |
| 2.00 |
| |||
V ГЭ (th ) | Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу | I Ц = 15.0mA,V CE =V ГЭ , T ж =25 O Ц | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V |
I CES | Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк | V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц |
|
| 1.0 | mА |
I ГЭС | Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк | V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц |
|
| 400 | nA |
R Гинт | Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
| 1.3 |
| Ω |
Ц лар | Кіріс сыйымдылығы | V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В |
| 62.1 |
| НФ |
Ц ре | Кері ауыстыру Қуаттылық |
| 1.74 |
| НФ | |
Q g | Қақпалық төлем | V ГЭ =- 15...+15В |
| 4.62 |
| μC |
t D (ҚОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1.5Ω, V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц |
| 257 |
| н |
t R | Күтерілу уақыты |
| 96 |
| н | |
t D (Ашылған ) | Бұғаттау Кешіру уақыты |
| 628 |
| н | |
t F | Күз мезгілі |
| 103 |
| н | |
E ҚОСУЛЫ | Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
| 37.5 |
| МЖ | |
E Ашылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
| 51.5 |
| МЖ | |
t D (ҚОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1.5Ω, V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц |
| 268 |
| н |
t R | Күтерілу уақыты |
| 107 |
| н | |
t D (Ашылған ) | Бұғаттау Кешіру уақыты |
| 659 |
| н | |
t F | Күз мезгілі |
| 144 |
| н | |
E ҚОСУЛЫ | Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
| 53.5 |
| МЖ | |
E Ашылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
| 77.3 |
| МЖ | |
t D (ҚОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1.5Ω, V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц |
| 278 |
| н |
t R | Күтерілу уақыты |
| 118 |
| н | |
t D (Ашылған ) | Бұғаттау Кешіру уақыты |
| 680 |
| н | |
t F | Күз мезгілі |
| 155 |
| н | |
E ҚОСУЛЫ | Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
| 58.9 |
| МЖ | |
E Ашылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
| 82.4 |
| МЖ | |
I SC |
SC деректері | t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В, t ж =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В |
|
2400 |
|
А |
Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | бірлік |
V F | Алға қарай диод Кернеу | I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц |
| 1.65 | 2.10 |
V |
I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц |
| 1.65 |
| |||
I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц |
| 1.65 |
| |||
Q R | Алынған айыппұл | V CC = 600В,I F =600А, -di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж =25 O Ц |
| 61.4 |
| μC |
I RM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
| 280 |
| А | |
E рек | Қайта қалпына келтіру энергия |
| 20.9 |
| МЖ | |
Q R | Алынған айыппұл | V CC = 600В,I F =600А, -di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж = 125O Ц |
| 114 |
| μC |
I RM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
| 415 |
| А | |
E рек | Қайта қалпына келтіру энергия |
| 43.1 |
| МЖ | |
Q R | Алынған айыппұл | V CC = 600В,I F =600А, -di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж = 150O Ц |
| 128 |
| μC |
I RM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
| 443 |
| А | |
E рек | Қайта қалпына келтіру энергия |
| 50.0 |
| МЖ |
Модуль Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | бірлік |
L CE | Айналадағы индуктивтілік |
|
| 20 | nH |
R CC+EE | Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке |
| 0.35 |
| mΩ |
R ТЖК | Қатысу (IGB бойынша) Т) Джункция-дан-Кейс (әр Di од) |
|
| 0.044 0.077 | К/W |
R ТХ | Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль) |
| 0.031 0.055 0.010 |
| К/W |
м | Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | Н.М |
g | Салмақ туралы Модуль |
| 300 |
| g |
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
