IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

Өткінші қақпа-эмиттер кернеуі

±20

±30

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =90 O Ц

873

600

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

2727

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

600

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.75

2.20

V

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

2.00

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.05

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 24,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.7

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

55.9

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.57

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

4.20

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1,5Ω

, L с =34нГ, В ГЭ =±15В,Т ж =25 O Ц

109

н

t R

Күтерілу уақыты

62

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

469

н

t F

Күз мезгілі

68

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

42.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

46.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1.5Ω,

L с = 34 nH ,

V ГЭ =±15В,Т ж =125 O Ц

143

н

t R

Күтерілу уақыты

62

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

597

н

t F

Күз мезгілі

107

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

56.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

70.5

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1.5Ω,

L с = 34 nH ,

V ГЭ =±15В,Т ж =150 O Ц

143

н

t R

Күтерілу уақыты

68

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

637

н

t F

Күз мезгілі

118

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

61.2

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

77.8

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.95

2.40

V

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

2.05

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

2.10

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=4300A/μs,V ГЭ =- 15В, L с = 34 nH ,t ж =25 O Ц

58.9

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

276

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

20.9

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=4300A/μs,V ГЭ =- 15В, L с = 34 nH ,t ж =125 O Ц

109

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

399

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

41.8

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=4300A/μs,V ГЭ =- 15В, L с = 34 nH ,t ж =150 O Ц

124

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

428

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

48.5

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.055

0.089

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.032

0.052

0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g