IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±30

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц = 100O Ц

970

600

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

3260

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

600

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 24,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.0

5.6

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.67

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =30В,f=1МГц,

V ГЭ =0В

51.0

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.65

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =15В

3.21

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g = 1. 1Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

332

н

t R

Күтерілу уақыты

106

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

525

н

t F

Күз мезгілі

125

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

12.6

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

54.6

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g = 1. 1Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

335

н

t R

Күтерілу уақыты

110

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

575

н

t F

Күз мезгілі

168

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

21.2

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

69.2

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g = 1. 1Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

340

н

t R

Күтерілу уақыты

112

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

586

н

t F

Күз мезгілі

185

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

22.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

74.0

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

2400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.65

2.10

V

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.65

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.65

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж =25 O Ц

62.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

292

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

22.6

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж = 125O Ц

116

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

424

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

44.8

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж = 150O Ц

132

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

454

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

51.7

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.35

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.046

0.078

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.111

0.189

0.035

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g