Барлық санаттар

IGBT Модулі 1200V

IGBT Модулі 1200V

Басты бет /  Өнімдер  /  IGBT модулі /  IGBT Модулі 1200V

GD450HTT120C7S,IGBT Модулі,STARPOWER

1200В 450A

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
GD450HTT120C7S
  • Кіріспе
  • Нысан
Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі , STARPOWER компаниясымен өндірілген. 1200В 450A.

Ерекшеліктер

  • Төмен V (Солтүстік Қазақстан) қазық IGBT технологиясы жж
  • Төмен қосқыш шығындары
  • 10 мкм Қысқа тұйықталу мүмкіндігі
  • Квадратты РБСОА
  • V (Солтүстік Қазақстан) оң температура коэффициенті бар
  • Төмен индуктивтілік Қорытқа
  • Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру паралельді қарсы FWD
  • Бос жiкiрiлген мыс DBC технологиясын қолдана отырып сеплата

Үлгілік Қолданбалар

  • Моторға арналған инвертор Көлік жүргізу
  • Жұмсақ ток және жұмсız ток серво Көлік жүргізу көбейткіш
  • Бөлінбейтін қуат көзі

IGBT-инвертор t Ц =25 °C егер өзгеше белгіленбесе

Максималды номиналды мәндер

Символ

Сипаттама

GD450HTT120C7S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі @ Т ж =25 °C

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 °C

@ Т Ц =80 °C

650

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

900

А

p tot

Жалпы қуат жоғалту @ T ж =175 °C

2155

W

t SC

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ T ж =150 °C

10

μs

Белгілері

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE =V CES V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ =V ГЭС V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Өздік ерекшеліктері туралы

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ЖЕ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

I Ц = 18,0 мА, В CE =V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.70

2.15

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =125 °C

1.90

Таңдаудың өзгеруі есiк

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

V CC = 600В,I Ц =450A, R g =1,6Ω,V ГЭ = ± 15В, t ж =25 °C

23.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

31.0

МЖ

E tot

Жалпы Ауысу жоғалту

54.0

МЖ

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

V CC = 600В,I Ц =450A, R g =1,6Ω,V ГЭ = ± 15В, t ж =125 °C

36.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

48.0

МЖ

E tot

Жалпы Ауысу жоғалту

84.0

МЖ

t d(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g =1,6Ω,

V ГЭ = ± 15В, t ж =25 °C

160

н

t R

Күтерілу уақыты

90

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

500

н

t F

Күз мезгілі

130

н

t d(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g =1,6Ω,

V ГЭ = ± 15В, t ж =125 °C

170

н

t R

Күтерілу уақыты

100

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

570

н

t F

Күз мезгілі

160

н

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

32.3

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.69

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.46

НФ

I SC

SC деректері

t с Ц 10 мс,В ГЭ 15В, t ж =125 °C ,

V CC = 900В, V КЕМ 1200В

1800

А

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.7

О

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

4.3

μC

Диод инверторы t Ц =25 °C басқалар болмаса ақылға қонымды

Максималды номиналды мәндер

Символ

Сипаттама

GD450HTT120C7S

Блоктар

V РРМ

Жинағыш-эмиттер кернеуі @ Т ж =25 °C

1200

V

I F

Тұрақты алға қарай ағым @ t Ц =80 °C

450

А

I ҚРМ

Қайталаушы Пик Алға Ток t p = 1 мс

900

А

I 2t

I 2t-құндылығы,V R =0В, Т p =10 мс, Т ж = 125°C

35000

А 2с

Өздік қасиеттері

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 450А,В ГЭ =0В

t ж =25 °C

1.65

2.15

V

t ж =125 °C

1.65

Q R

Алынған айыппұл

I F =450А,

V R =600В,

di/dt=-5200A/μs, V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

45.1

н

t ж =125 °C

84.6

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

316

А

t ж =125 °C

404

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

21.1

МЖ

t ж =125 °C

38.9

Электр Характеристикалар туралы НТК t Ц =25 °C егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

R 25

Атаулы кедергі

5.0

ΔR/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц =100 °C Р 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

энергия дыбысы

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25exp[B 25/50 1/Т 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

К

IGBT модулі

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

V

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC + EE

Модульдің қорғасын кедергісі Терминал - Чипке @ Т Ц =25 °C

1.1

м Ω

R θJC

Бөлшеуіш -дейін -Қорытқа (perIGBT )

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.058

0.102

К/W

R θCS

Қалқадан-суға құюға арналған май (ауыртпалық)

0.005

К/W

t ж

Жоғарғы түйісу температурасы

150

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40

125

°C

Орнату

Торк

Электр терминалы Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М

Орнату Шраф:M6

3.0

6.0

Н.М

Салмақ

салмағы Модуль

910

g

Нысан

image(6778dd5b7b).png

Тегін баға алу

Біздің өкіл сізбен жақын арада байланысады.
Email
Аты
Компанияның атауы
Хабарлама
0/1000

БАЙЛАНЫСЫ БАР ӨНІМ

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Баға алу

Тегін баға алу

Біздің өкіл сізбен жақын арада байланысады.
Email
Аты
Компанияның атауы
Хабарлама
0/1000