IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =90 O Ц

656

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

900

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

2054

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

900

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 18,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.7

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

46.6

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.31

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

3.50

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g =1.5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

328

н

t R

Күтерілу уақыты

76

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

539

н

t F

Күз мезгілі

108

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

19.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

46.6

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g =1.5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

376

н

t R

Күтерілу уақыты

86

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

595

н

t F

Күз мезгілі

214

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

36.3

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

53.5

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g =1.5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

380

н

t R

Күтерілу уақыты

89

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

608

н

t F

Күз мезгілі

232

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

41.7

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

55.5

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.90

2.35

V

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

2.00

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

2.05

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=4370A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж =25 O Ц

55.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

518

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

26.0

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=4370A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж =125 O Ц

106

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

633

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

47.5

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=4370A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж =150 O Ц

121

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

661

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

53.9

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.073

0.128

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.031

0.055

0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g