IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±30

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц @ Т Ц =95 O Ц

685

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

900

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

2206

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

900

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 18.0mA,V CE =V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.0

5.6

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.7

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

39.0

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.26

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =15В

2.46

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g = 1,5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

360

н

t R

Күтерілу уақыты

140

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

550

н

t F

Күз мезгілі

146

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

11.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

48.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g = 1,5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

374

н

t R

Күтерілу уақыты

147

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

623

н

t F

Күз мезгілі

178

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

64.5

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =450А, R g = 1,5Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

381

н

t R

Күтерілу уақыты

152

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

636

н

t F

Күз мезгілі

184

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

19.6

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

69.0

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.72

2.12

V

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.73

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.74

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=3000A/μs,V ГЭ =-15V, t ж =25 O Ц

40.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

258

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

19.0

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=3000A/μs,V ГЭ =-15V, t ж = 125O Ц

71.9

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

338

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

39.1

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =450А,

-di/dt=3000A/μs,V ГЭ =-15V, t ж = 150O Ц

79.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

352

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

41.8

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.35

mΩ

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.068 0.117

К/W

R θ КС

Қаптамадан суға құюға (IGBT бойынша) Қаптамадан суға құюға (диод бойынша)

0.111 0.190

К/W

R θ КС

Қаптамадан суға құюға

0.035

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Салмақ Модуль

300

g