IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD400SGT120C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ t Ц =25 °C

@ Т Ц =80 °C

680

400

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

800

А

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

@ Т Ц =80 °C

400

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 1 75°C

2419

W

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

Орнату Торк

Электр қуаты терминалының бұрандасы:M4

Қуат терминалының бұрандасы:M6

1.1 дейін 2.0

2,5 -ге дейін 5.0

Н.М

Тіркемелік бұранда:M6

3.0-ден 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 16,0 мА,В CE =V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.70

2.05

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.00

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g = 1.8Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 °C

251

н

t R

Күтерілу уақыты

89

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

555

н

t F

Күз мезгілі

128

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

23.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

39.5

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g = 1.8Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =125 °C

302

н

t R

Күтерілу уақыты

101

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

650

н

t F

Күз мезгілі

179

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

33.1

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

58.9

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

28.8

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.51

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.31

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =125 °C, V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1600

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.9

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =400А

t ж =25 °C

1.65

2.10

V

t ж =125 °C

1.65

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

I F =400А,

V R =600В,

R g = 1.8Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

39.8

μC

t ж =125 °C

75.1

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

275

А

t ж =125 °C

362

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

18.0

МЖ

t ж =125 °C

34.1

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

0.067

К/W

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.124

К/W

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

0.035

К/W

Салмақ

Салмақ Модуль

300

g