IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD400SGL120C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц = 25°C

@ Т Ц = 100°C

650

А

400

I CM (1)

Импульстік коллекторлы керре н

800

А

I F

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

400

А

I Fm

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасы жалға алу

800

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 175°C

3000

W

t SC

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ T ж =125 °C

10

μs

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t ж

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

I 2t-құндылығы, диод

V R =0В, t=10ms, T ж =125 °C

27500

А 2с

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS, f=50Hz, t=1мин

2500

V

Қою моментi

Қуат терминалының бұрандасы:M6

2,5 -ге дейін 5

Н.М

Орнату Шраф:M6

3 дейін 6

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

BV CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттер

сұйынды ток

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттер

Төменгі кернеу

I Ц =8 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушы

Эмитерлер қанықтығы

Кернеу

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.9

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж = 125°C

2.1

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А,

R g =4Ω, V ГЭ = ± 15В,

100

н

t R

Күтерілу уақыты

60

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

t ж =25 °C

420

н

t F

Күз мезгілі

V CC = 600В,I Ц =400А,

R g =4Ω, V ГЭ = ± 15В,

t ж =25 °C

60

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру

Ауысу жоғалту

33

МЖ

E Ашылған

Айналайық -Ашылған

Ауысу жоғалту

42

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А,

R g =4Ω, V ГЭ = ± 15В,

t ж = 125°C

120

н

t R

Күтерілу уақыты

60

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

490

н

t F

Күз мезгілі

75

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру

Ауысу жоғалту

35

МЖ

E Ашылған

Айналайық -Ашылған

Ауысу жоғалту

46

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В, f=1МГц,

V ГЭ =0В

30

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

4

НФ

Ц ре

Кері

Ауысу қабілеті

3

НФ

I SC

SC деректері

t с Ц ≤ 10 мс, V ГЭ =15 V,

t ж =125 °C , V CC = 900В,

V КЕМ ≤ 1200В

1900

А

R Гинт

Ішкі қақпа

деңгейде

0.5

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC + EE ’

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

t Ц =25 °C

0.18

м Ω

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =400А

t ж =25 °C

2.1

2.2

V

t ж = 125°C

2.2

2.3

Q R

Диод кері

Алу ақысы

I F =400А,

V R =600В,

di/dt=-4000A/μs, V ГЭ =- 15В

t ж =25 °C

40

μC

t ж = 125°C

48

I RM

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіру Жүк

t ж =25 °C

320

А

t ж = 125°C

400

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

12

МЖ

t ж = 125°C

20

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қалқаға қосылу (IGBT бөлігі, pe) r Модулі)

0.05

К/W

R θ ЖК

Қосылым-қапшыққа (диодты бөлшектер, модуль бойынша) е)

0.09

К/W

R θ КС

Қалқадан-суға құюға арналған май (ауыртпалық)

0.035

К/W

Салмақ

Салмақ туралы Модуль

300

g