IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD400SGK120C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

Символ

Сипаттама

GD400SGK120C2S

Блоктар

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20В

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 °C

@ Т Ц =80 °C

550

А

400

I КМ ((1)

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

I F

Диодты үздіксіз алға шығару н

400

А

I Fm

Диодтың ең жоғары алдыңғы ағыны н

800

А

p D

Максималды қуаттылық t ж =150 °C

2500

W

t SC

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ T ж = 1 25°C

10

μs

t ж

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-тен +150

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-тен +125

°C

I 2t-құндылығы, диод

V R =0В, t=10ms, T ж =125 °C

27500

А 2с

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS, f=50Hz, t=1мин

2500

V

Орнату

Торк

Электр терминалы Шраф:M4

Электр терминалы Шраф:M6

1.1 дейін 2.0

2,5 -ге дейін 5.0

Н.М

Орнату Шраф:M6

3.0-ден 6.0

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

BV CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE =V CES V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ =V ГЭС V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ЖЕ (th)

Қақпа-эмиттер

Төменгі кернеу

I Ц = 5,0 мА, В CE =V ГЭ ,

t ж =25 °C

4.5

5.1

5.5

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В,Т ж =25 °C

2.2

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В,

t ж =125 °C

2.5

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t d(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А,

258

н

t R

Күтерілу уақыты

R g =3,3Ω, V ГЭ = ± 15В,

110

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

t ж = 25 °C

285

н

t F

Күз мезгілі

V CC = 600В,I Ц =400А,

R g =3,3Ω, V ГЭ = ± 15В, t ж = 25 °C

70

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

45

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

26

МЖ

t d(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А,

R g =3,3Ω, V ГЭ = ± 15В, t ж = 125°C

260

н

t R

Күтерілу уақыты

120

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

300

н

t F

Күз мезгілі

80

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

60

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

40

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В, f=1,0МГц,

V ГЭ =0В

74.7

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

3.3

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.64

НФ

I SC

SC деректері

t с Ц ≤ 10 мс, V ГЭ =15В,

t ж =125 °C , V CC = 900В,

V КЕМ ≤ 1200В

2400

А

L CE

Айналадағы индуктивтілік

16

nH

R CC + EE ’

Модульді жетек

қарсылық, Терминал дейін ЧИП

t Ц =25 °C

0.50

м Ω

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =400А

t ж =25 °C

2.0

2.3

V

t ж =125 °C

2.2

2.5

Q R

Диод кері

Алу ақысы

I F =400А,

V R =600В,

di/dt=-4100A/μs, V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

31

μC

t ж =125 °C

66

I RM

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіру Жүк

t ж =25 °C

300

А

t ж =125 °C

410

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

12

МЖ

t ж =125 °C

28

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θJC

Қосылым-қапшыққа (IGBT бөлшегі, әр 1/2 модулі)

0.05

К/W

R θJC

Бөлшекпен қосылу (ДИОД бөлігі, әр 1/2 модулі)

0.08

К/W

R θCS

Қалқадан-суға құюға арналған май (ауыртпалық)

0.035

К/W

Салмақ

салмағы Модуль

340

g