IGBT Модулі 1200V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 16,0 мА,В CE =V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.70

2.15

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.00

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =150 °C

2.10

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g = 1.8Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 °C

250

н

t R

Күтерілу уақыты

39

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

500

н

t F

Күз мезгілі

100

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

17.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

42.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g = 1.8Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 125°C

299

н

t R

Күтерілу уақыты

46

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

605

н

t F

Күз мезгілі

155

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

25.1

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

61.9

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g = 1.8Ω,

V ГЭ =±15В, t ж = 150°C

320

н

t R

Күтерілу уақыты

52

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

625

н

t F

Күз мезгілі

180

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

30.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

66.8

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

28.8

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.51

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.31

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =125 °C, V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1600

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.9

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.35

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =400А,

V ГЭ =0В

t ж =25 °C

1.65

2.15

V

t ж =125 °C

1.65

t ж =150 °C

1.65

Q R

Алынған айыппұл

I F =400А,

V R =600В,

R g = 1.8Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

44

μC

t ж =125 °C

78

t ж =150 °C

90

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

490

А

t ж =125 °C

555

t ж =150 °C

565

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

19.0

МЖ

t ж =125 °C

35.1

t ж =150 °C

38.8

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

0.059

К/W

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.106

К/W

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

0.035

К/W