IGBT Модулі 1700V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц = 100O Ц

645

400

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

2631

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

400

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

2.00

2.45

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

2.40

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.50

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 16,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 O Ц

5.4

6.2

7.4

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

27.0

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.92

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

3.08

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =400А, R g =2.2Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

367

н

t R

Күтерілу уақыты

112

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

523

н

t F

Күз мезгілі

236

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

42.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

76.7

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =400А, R g =2.2Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

375

н

t R

Күтерілу уақыты

116

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

599

н

t F

Күз мезгілі

458

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

58.7

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

109

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =400А, R g =2.2Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

377

н

t R

Күтерілу уақыты

120

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

611

н

t F

Күз мезгілі

560

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

73.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

118

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В

1200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.80

2.25

V

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.90

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.95

Q R

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =400А,

-di/dt=2900A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж =25 O Ц

101

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

488

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

71.1

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =400А,

-di/dt=2900A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж = 125O Ц

150

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

562

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

106

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC =900V,I F =400А,

-di/dt=2900A/μs,V ГЭ =- 15В, t ж = 150O Ц

160

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

575

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

112

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.35

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.057

0.110

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.106

0.205

0.035

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g