IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD400HFL120C2S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ t Ц =25 °C

@ Т Ц =80 °C

730

400

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

800

А

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

400

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

А

p D

Максималды қуаттылық ж = 1 75°C

2778

W

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Орнату Торк

Қуат терминалының бұрандасы:M6

Тіркемелік бұранда:M6

2,5 -ге дейін 5.0

3.0-ден 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 16,0 мА,В CE =V ГЭ , t ж =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.90

2.35

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.10

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g =4. 1Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =25 °C

910

н

t R

Күтерілу уақыты

200

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

848

н

t F

Күз мезгілі

110

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

33.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

39.5

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R g =4. 1Ω,

V ГЭ =±15В, t ж =125 °C

1047

н

t R

Күтерілу уақыты

201

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

998

н

t F

Күз мезгілі

150

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

46.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

57.6

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

29.7

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

2.08

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.36

НФ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15 V,

t ж =125 °C, V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1800

А

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

Ω

L CE

Айналадағы индуктивтілік

18

nH

R CC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

0.32

mΩ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =400А

t ж =25 °C

1.80

2.20

V

t ж =125 °C

1.85

Q R

Қайта қалпына келтірілген

заряд

I F =400А,

V R =600В,

R g =4. 1Ω,

V ГЭ =-15В

t ж =25 °C

26

μC

t ж =125 °C

49

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

t ж =25 °C

212

А

t ж =125 °C

281

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

23.4

МЖ

t ж =125 °C

33.8

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

0.054

К/W

R θ ЖК

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.093

К/W

R θ КС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану) өтірік)

0.032

К/W

Салмақ

Салмақ Модуль

350

g